Samsung e SK Hynix caem mais de 4% no intraday enquanto chinesa ChangXin Memory revela avanços na tecnologia DRAM de próxima geração

TradingKey - Em 12 de outubro, as ações de empresas de chips de memória da Coreia do Sul caíram de forma expressiva durante o pregão. Até o momento desta publicação, a Samsung Electronics (005930.KS) recuava até cerca de 4,2%, cotada a 252.500 won, enquanto a SK Hynix (000660.KS) caía até cerca de 4,01%, para 1.624.000 won. A fabricante chinesa de memórias DRAM ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunciou avanços na pesquisa e desenvolvimento de tecnologias de memória de próxima geração, aumentando ainda mais a atenção do mercado sobre a intensificação da concorrência no setor global de DRAM.

Gráfico diário de preços das ações da Samsung Electronics, Fonte: TradingView

A ChangXin Memory Technologies declarou que a empresa alcançou avanços importantes no P&D de uma arquitetura de célula de memória DRAM 4F² de próxima geração. Em comparação com a arquitetura 6F² utilizada na DRAM comercial convencional atual, o design 4F² pode integrar mais células de memória por unidade de área de chip, aumentando a densidade de memória e melhorando a eficiência energética. A CXMT adotou uma arquitetura de transístor Vertical Surrounding Gate desenvolvida internamente para reduzir a área individual da célula de memória e diminuir a corrente de fuga.

O presidente da CXMT, Cao Kanyu, afirmou que a empresa planeja lançar produtos de memória de servidor DDR5 RDIMM de próxima geração baseados em tecnologias correlatas antes do final de 2026. Atualmente, a Samsung e a SK Hynix também estão desenvolvendo a tecnologia 4F²; a SK Hynix já havia divulgado um roteiro de P&D sobre o tema, enquanto a Samsung estaria planejando alcançar a produção em massa de DRAM sub-10nm utilizando essa arquitetura até 2028.

A participação de mercado global de DRAM da CXMT cresceu rapidamente nos últimos anos. Dados da Counterpoint mostraram que, no segundo trimestre de 2026, a fatia da receita global de DRAM da CXMT subiu para 10%, uma alta expressiva em relação aos 4% registrados no mesmo período do ano passado; no mesmo período, a Samsung respondeu por cerca de 38%, a SK Hynix por cerca de 25% e a Micron (MU) por cerca de 24%.

No entanto, a CXMT ainda não divulgou especificações técnicas completas ou um cronograma específico de produção em massa para seus produtos de próxima geração, de modo que ainda resta saber se esse avanço no P&D se traduzirá em pedidos comerciais em grande escala no mercado de servidores. No curto prazo, a contínua expansão da participação de mercado da CXMT e os avanços na tecnologia avançada de DRAM estão levando os investidores a reavaliar a futura pressão competitiva enfrentada por fabricantes de memória tradicionais, como Samsung e SK Hynix.