SK Hynix estaria considerando chips-base HBM4E da Intel, buscando reduzir a dependência da TSMC

TradingKey - De acordo com os relatos mais recentes da imprensa sul-coreana, a SK Hynix (SKHY) está considerando uma parceria com o negócio de fundição da Intel (INTC) para atribuir parte da produção de seus dies base de HBM4E de próxima geração à Intel, visando expandir suas fontes de suprimento. O plano em questão ainda está sob avaliação, e ambas as partes ainda não finalizaram o escopo específico e o cronograma da colaboração.

O die base de HBM fica localizado na parte inferior do chip DRAM de múltiplas camadas, sendo o principal responsável por conectar a memória HBM a processadores como GPUs, além de gerenciar as funções de transmissão de dados e controle. À medida que o desempenho da HBM continua a evoluir, a importância do die base também aumentou significativamente. O die base da HBM3E anterior da SK Hynix usava principalmente um processo interno, mas, a partir da HBM4, a empresa recorreu aos processos lógicos avançados da TSMC (TSM).

Atualmente, o die base do produto HBM4 da SK Hynix utiliza o processo de classe de 12 nm da TSMC. Veículos de imprensa sul-coreanos citaram estimativas do setor afirmando que o custo dos dies base de HBM4 produzidos pela TSMC pode ser de três a quatro vezes superior ao dos dies de DRAM centrais. À medida que a HBM4E entra na fase de preparação para a produção em massa, a SK Hynix busca mais opções de fundição para reduzir os custos de fabricação e aumentar a estabilidade da cadeia de suprimentos.

Segundo os relatos, a SK Hynix pode adotar simultaneamente dois fornecedores, TSMC e Intel, para produzir dies base a partir da HBM4E no futuro, em vez de migrar completamente da TSMC para a Intel. Além disso, a empresa está avaliando tecnologias de encapsulamento avançado de ambas as partes, incluindo o CoWoS-S e o CoWoS-L da TSMC, além do EMIB da Intel.

A SK Hynix acelerou o avanço de seus produtos HBM4E. Em junho deste ano, a empresa anunciou o envio de amostras de HBM4E de 12 camadas para clientes estratégicos, com o produto atingindo uma velocidade máxima de transferência de dados de 16 Gbps e uma melhoria na eficiência energética superior a 20% em comparação com a geração anterior, enquanto planeja dar andamento à posterior produção em massa junto aos clientes.

Se uma colaboração for finalmente concretizada, isso marcará um progresso significativo para o negócio de fundição da Intel ao entrar na cadeia de suprimentos de HBM de próxima geração. Isso também implica que a cadeia de suprimentos de HBM da SK Hynix pode migrar gradualmente de sua atual dependência principal da TSMC para um modelo de múltiplos fornecedores. No entanto, a SK Hynix e a Intel ainda não anunciaram oficialmente um acordo de fundição para os dies base da HBM4E, e os arranjos específicos de produção ainda precisam ser confirmados.