SK하이닉스, 1c D램 공정 전환 가속화하며 8% 이상 상승, 내년 1분기 주류 될 것으로 전망

TradingKey - 9월 7일 아시아 거래 세션 동안 SK하이닉스 주가는 8.26% 상승한 178만 3,000원(약 1,324.58달러)에 거래를 마쳤다. 한편, 첨단 DRAM 공정 노드로의 전환에서 이 회사가 거둔 진척도 시장의 주목을 받고 있다.

[출처: TradingView]

업계 출처를 인용한 국내 언론 조선비즈 보도에 따르면, SK하이닉스는 6세대 10나노급 DRAM 기술인 1c나노 공정의 생산능력 비중을 빠르게 확대하고 있다.

[출처: 조선비즈]

업계 추정에 따르면, 이 회사의 전체 DRAM 생산능력 중 1c DRAM이 차지하는 비중은 올해 1분기 약 10%에서 2분기 약 13%로 상승했으며, 3분기에는 약 24%, 4분기에는 약 34%에 달할 것으로 예상된다. 2027년 1분기까지 1c 비중은 약 35%로 한층 더 올라가, 처음으로 1b 공정(당시 약 33% 예상)을 제치고 SK하이닉스의 최대 DRAM 공정 노드가 될 전망이다.

한편 1b DRAM 비중은 올해 2분기 약 43%로 고점을 찍은 후 1c로의 전환이 가속화됨에 따라 점점 하락할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 앞서 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 1c 공정을 적용한 DRAM 제품 출하가 2분기부터 공식적으로 시작되었다고 확인한 바 있다.

HBM은 이러한 공정 노드 전환의 핵심 적용 분야다. SK하이닉스는 양산 안정성을 확보하기 위해 HBM4에 성숙한 1b DRAM을 계속 사용하는 한편, 차세대 HBM4E의 코어 다이에는 처음으로 1c DRAM을 채택할 예정이다.

올해 4월 실적발표 컨퍼런스 콜에서 이 회사는 2026년 하반기에 HBM4E 샘플을 공급하고 2027년 양산을 목표로 하고 있다고 밝혔다. 실제 진척 상황은 예상과 일치하며, SK하이닉스는 6월 18일 주요 고객사에 12단 HBM4E 샘플을 출하했다고 발표했다. 이 제품은 핀당 최대 16Gbps의 전송 속도를 달성하며, 전력 효율은 전 세대 대비 20% 이상 향상되었다.

업계 비교 관점에서 조선비즈가 인용한 업계 추정치에 따르면, 올해 2분기 말 기준 삼성전자와 마이크론(MU)의 전체 DRAM 생산능력 중 1c DRAM 비중은 각각 약 16%와 19%로, 같은 기간 SK하이닉스의 수준인 약 13%보다 높았다.

하지만 SK하이닉스는 하반기 들어 1c 공정 전환에 속도를 내고 있다. 해당 보도는 4분기까지 SK하이닉스의 1c 비중이 약 34%에 달해 같은 기간 삼성전자의 약 31%를 앞설 것으로 전망했다.

1c DRAM 비중 상승과 서버, AI, HBM 등 고부가가치 제품 공급 확대에 힘입어, 미세화된 공정 노드가 가져오는 웨이퍼당 비트 생산량 증가가 원가 경쟁력을 제고하고 수익성 구조를 개선할 것으로 기대된다.

SK하이닉스는 하반기 HBM4 생산능력 확대와 1c 공정 기반 범용 DRAM 출하량 증가에 따라, 하반기 비트 성장률이 상반기보다 높아질 것으로 전망하고 있다.

현재 업계 전망에 따르면, 1c는 내년 1분기 이 회사의 주력 공정 노드가 되어 향후 HBM4E 양산을 위한 생산능력 및 공정 기반을 제공할 것으로 예상된다.