삼성전자, 차세대 메모리 기술 추진에 주가 4% 급등
AI 팟캐스트
8월 5일 삼성전자 주가는 미국 반도체주 강세와 AI 슈퍼사이클에 힘입어 한때 4% 이상 반등하며 25만 4,000원을 기록한 뒤 24만 8,500원에 거래되고 있다. 이번 주가 움직임은 새로운 메모리 기술 규격 도입에 대한 기대감이 반영된 것으로 풀이된다.
삼성전자는 'FMS' 콘퍼런스에서 공개한 V10 Bonding V-NAND가 이전 세대 대비 저장 밀도 50% 향상과 성능 강화를 제공할 수 있다고 밝혔다. 또한, 업계 최초로 선보인 zHBM 및 zNAND-O 아키텍처 콘셉트 모델에 대해, 해당 웨이퍼 본딩 기술이 기존 HBM5 대비 저장 밀도 10배 이상, 에너지 효율 3배 향상 및 열 저항 절반 감소를 달성할 수 있을 것으로 전망했다.
TradingKey - 삼성전자가 차세대 메모리 기술을 발표하며 주가가 약 4% 반등했다.
8월 5일 아시아 거래 시간 동안 삼성전자는 상승 출발해 강세를 보였으며, 한때 4% 이상 상승하며 25만 원(약 175.45달러) 선을 돌파하고 최고 25만 4,000원을 기록했다. 현재 삼성전자 주가는 소폭 반락해 24만 8,500원에 거래되고 있다.
삼성전자 주가 차트, 출처: TradingView
오늘 삼성전자 주가 반등은 미국 반도체 주 급등의 파급 효과, 새로운 메모리 기술 규격(HBF/HBM4) 출시, AI 수요가 견인하는 슈퍼사이클의 지속적인 강세 등 주로 긍정적인 요인들에 의해 견인되었다. 하지만 시장이 간과한 또 다른 핵심 요인은 삼성전자의 신제품 및 콘셉트 모델 소개다.
어제 삼성전자는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage)' 콘퍼런스에서 BV-NAND 프로토타입(V10 Bonding V-NAND)을 공개했다. 이는 이전 세대인 V9 NAND와 비교해 50% 이상의 저장 밀도 향상과 더불어 읽기·쓰기 및 입출력 성능 강화 등 상당한 강점을 제공한다.
또한 삼성은 업계 최초의 zHBM 및 zNAND-O 아키텍처 콘셉트 모델을 선보였다. 삼성에 따르면 이 웨이퍼 본딩 기술은 기존 HBM5 메모리보다 10배 이상 높은 저장 밀도를 달성하는 동시에, 에너지 효율을 3배 향상시키고 열 저항은 절반 넘게 줄일 수 있을 것으로 기대된다.
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