Wedbush：硅光子產能加速釋放，Tower半導體（TSEM）Q2有望超市場預期

金吾財訊 | 全球領先的模擬半導體代工巨頭Tower半導體（TSEM）將於 2026 年 8 月 4 日（週二）盤後公佈 2026 年第二季度業績。知名投資機構 Wedbush 週一發佈研報指出，隨着硅光子（SiPho）技術的產能認證完成並加速釋放，Tower半導體二季度業績有望超越市場預期，未來增長前景更爲亮眼。

Tower半導體此前預計二季度營收爲 4.55 億美元（上下浮動 5%），相當於環比增長 10%、同比增長 22%。華爾街普遍預期其調整後每股收益（EPS）爲 0.76 美元，營收約爲 4.5468 億美元。Wedbush 強調，公司已連續八個季度業績達標或超預期，在大宗商品價格回暖及高產利用率加持下，二季度將延續這一強勁勢頭。

作爲替代傳統電傳輸、大幅提升數據傳輸速率的核心技術，硅光子技術正成爲Tower半導體的增長引擎。其 Fab 2 和 Fab 7 廠區在今年首季完成認證並實現首次出貨（Fab 7 首批晶圓良率高達 95%）；Fab 9 利用率已升至約 80%（相比 2025 年四季度的 65% 大幅提升）；Fab 3 利用率亦有望回升至 85% 左右。

Tower半導體正與邁威爾科技（MRVL）合作開發 SiPho 集成電路，以滿足 AI 數據中心互連網絡對高帶寬和低功耗的迫切需求。截至今年 6 月中旬，雙方已累計出貨超過 500 萬片 SiPho 芯片。

該機構提到，爲滿足 AI 和數據中心客戶的長遠需求，Tower半導體計劃投資約 30 億美元擴大其在日本的先進製造產能（其中約 10 億美元獲得日本政府補貼）。包括將 Arai 工廠改造爲 300mm SiPho 與先進封裝產線（預計 2027 年第四季度投產），並在 Fab 7 旁新建一條 300mm 生產線，預計從 2029 年起成倍釋放 SiPho 及 SiGe 產能。