三星HBM4E良率突破70% 第七代AI內存開發進入穩定階段
金色財經報道,7月1日,三星電子首席技術官兼半導體研究所所長在DS(器件解決方案)部門內部經營說明會上表示,HBM4E的可靠性測試良率已提升至70%以上。業界通常將80%以上視爲工藝穩定的"成熟良率"門檻,而HBM4E目前仍處於可靠性測試階段,70%以上的水平被認爲標誌着開發進程正式進入穩定區間。與此同時,他在同一場合透露,下一代10納米級第七代DRAM工藝(D1d)在技術競爭力上已取得對競爭對手的優勢,並計劃於今年11月完成生產準備認證(PRA)。
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