記憶體巨頭盤前告急！美光急跌超2%逼近1,000美元，多頭防線面臨考驗
AI 播客
美東時間10月12日，記憶體概念股盤前集體下挫，美光科技下跌2.15%，主因是長鑫存儲公布下一代4F² DRAM技術突破並預告將推出DDR5伺服器記憶體，恐對傳統大廠市佔率與定價權造成衝擊。目前美光股價逼近1,000美元心理關卡與支撐位，若失守恐向下測試900美元甚或7月低點740美元，打破中長線多頭結構，短線須關注現貨買盤承接力道。
TradingKey - 美光科技盤前下挫超 2%，逼近1,000 美元，多頭防線能否守住該關卡？
美東時間10月12日，美股市場中的記憶體概念股在盤前時段集體下跌，其中，記憶體巨頭美光 (MU) 股價下跌2.15%，SK海力士 (SKHY) 跌1.98%，閃迪 (SNDK) 下跌1.77%、西部數據 (WDC) 跌1.75%。
以美光科技科技的記憶體概念股這一次下跌，直接催化劑是長鑫存儲（CXMT）下一代 DRAM 技術突破。週末，中國 DRAM 巨頭長鑫存儲正式公佈其在下一代 4F² DRAM 記憶體單元結構上的關鍵進展，並預告將於 2026 年底前推出相關 DDR5 伺服器記憶體（RDIMM）產品。
10月10日，長鑫儲存4F² DRAM架構研發近期取得關鍵進展。該公司總裁曹堪宇博士在第四屆集成晶片和芯粒大會上發表演講，全面介紹了長鑫存儲在DRAM器件、4F²架構及混合鍵合等方向的技術探索與積累，並官宣預計年底將推出融合了上述先進技術的新一代DDR5 RDIMM產品，意味著傳統通用型 DRAM 與伺服器記憶體市場的供給可能會增加，對SK 海力士、美光等傳統記憶體大廠的市佔率與定價權恐造成衝擊。
繼前一交易日失守 1,030 美元關卡後，美光科技股價盤前價格進一步下探，最低跌至1,003美元。1,000 美元 為極致的整數心理防線與斐波那契數列0.5支撐位，若開盤後能於 1,000–1,015 美元區間獲得強勁現貨買盤承接並拉出下影線，將形成極佳的短線止跌訊號。
美光股價圖表，來源：TradingView
然而，如果美光股價失守1000美元大關，將可能快速奔向下一個防線在900美元，而且意味著將打破中長線 AI 記憶體龍頭的波段多頭結構，很大可能會跌至7月低點740美元。
