SK海力士股價預測：ASML零組件漲價10%，HBM成長能否抵銷成本壓力？
AI 播客
艾司摩爾將於2027年1月起將供應韓國的EUV與DUV曝光機替換零組件價格調漲10%，三星與SK海力士已接受安排。此舉或增加SK海力士設備維護成本，但其實際影響取決於採購規模。技術面上，SK海力士股價跌破169.5萬韓元回檔位，短期動能轉弱，下一支撐區看至155萬至160萬韓元，若未能收復關鍵壓力位，回檔壓力恐將持續。
TradingKey - 據韓國半導體媒體《The Elec》引述業界消息人士報導，艾司摩爾 (ASML) 將供給韓國市場的 EUV 與 DUV 曝光機替換零組件價格統一調漲 10%，新價格適用於 2027 年 1 月起交付的零組件。三星電子與 SK 海力士採購部門已接受漲價安排，報導未透露採購金額及具體合約條款。
10 月 12 日亞洲盤交易時段，截至發稿，SK 海力士報 161.3 萬韓元（約合 1210 美元），下跌 4.05%。
【來源：TradingView】
艾司摩爾零組件漲價或增加維護成本
據 The Elec 報導，此次漲價涵蓋供應韓國市場的 EUV 與 DUV 曝光機替換零組件，包括定期採購的耗材，以及因故障或性能下降而更換的主要零件，新價格適用於 2027 年 1 月起交付的零組件。
SK 海力士正在擴大先進 DRAM 和 HBM 產能，隨著設備投入與使用量增加，相關備品需求可能上升。漲價對維護成本的影響，取決於設備數量、零組件採購量及服務合約安排。
折舊、材料、人工與能源支出也影響晶片生產成本。目前缺少相關採購金額及成本佔比，尚無法量化此次漲價對 SK 海力士利潤的影響。
HBM4出貨與記憶體價格影響後續獲利
SK 海力士第二季營收為 79.32 兆韓元，年增 257%；營業利益為 60.54 兆韓元，年增 557%，營業利益率約 76%。公司表示，DRAM 與 NAND 價格上漲，以及 HBM、伺服器 DRAM 與企業級 SSD 銷售擴大，共同推動獲利成長。
公司 7 月揭露，HBM4 已於第二季量產出貨，計劃下半年擴大生產；此前已向主要客戶交付 HBM4E 樣品。後續重點是 HBM4 產量、良率與交付進度，以及 HBM4E 客戶認證情況。
若 HBM 出貨增加、良率改善且售價保持穩定，有助於緩解成本上漲壓力。若記憶體價格漲幅放緩或擴產交付不及預期，新增折舊與維護支出可能壓低利潤率，資本支出則會增加現金流壓力。此次艾司摩爾零組件漲價的具體影響，仍需結合採購規模與合約條款判斷。
SK海力士技術分析：跌破169萬韓元後，下看155萬—160萬韓元
依股票合併調整後價格計算，以 2025 年 10 月 13 日盤中低點 40.3 萬韓元至 2026 年 6 月 24 日盤中高點 298.7 萬韓元為基準，費波南希 0.236、0.382、0.500 和 0.618 回檔位分別約為 237.7 萬、200.0 萬、169.5 萬和 139.0 萬韓元。
【來源：TradingView】
10 月 12 日，SK 海力士盤中一度下跌約 4%，股價降至 161 萬韓元附近，跌破 169.5 萬韓元的 0.500 回檔位。10 月 8 日收盤時 14 日 RSI 約為 43.7；隨著股價繼續下跌，短期動態進一步轉弱。
下行方面，155 萬—160 萬韓元成為下一支撐區。若日線收盤繼續跌破 155 萬韓元，股價可能進一步回測 139 萬—140 萬韓元的 0.618 回檔位。
上行方面，169 萬—170 萬韓元已轉為首要壓力區。若股價重新站穩該區域，可依次關注 175 萬—180 萬韓元和 185.5 萬韓元；突破後，下一主要壓力位在 200 萬韓元附近。
短期走勢取決於股價能否收復 169.5 萬韓元。若持續運行在該位置下方，回檔壓力仍未解除；重新站穩後，才有望恢復向 180 萬—185.5 萬韓元反彈的空間。
本內容經由 AI 翻譯並經人工審閱，僅供參考與一般資訊用途，不構成投資建議。
