英特尔（INTC）盘中涨逾9% 市传其EMIB-T先进封装技术良率已接近90%

金吾财讯 | 英特尔（INTC）盘中拉升9.30%，最新报99.46美元，成交额35.95亿美元。

消息面上，市传英特尔正全力推进俄亥俄州大型晶圆厂园区建设，目标在2031年实现全面运营，为加速工程落地，公司向员工提供高额加班奖金以推进建设进度。该园区占地约1000英亩，将生产英特尔“埃米时代”的18A和14A制程节点，计划2031年实现14A工艺的大规模量产。同时，英特尔EMIB-T先进封装技术取得重要进展，其成本较台积电CoWoS方案低约50%，英特尔预计2027年大规模提供该封装服务，目前该技术封装良率已接近90%，但基板良率仅约50%，成为产能扩展的主要障碍，相关供应商正着力提升对应产能与良率。

还值得一提的是，英特尔近日宣布将2026年资本支出由原先约170亿美元大幅提高至逾200亿美元，并预告2027年将持续增加投资。高盛对此研究指，此举代表英特尔正全面押注先进制程、先进封装、AI服务器需求及晶圆代工业务的长期成长，正式开启新一轮大型资本支出周期。高盛维持对英特尔“中性”评级及150美元目标价，认为短期营运明显改善，但长期转型仍有多项挑战待克服。