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存储巨头盘前告急!美光急跌超2%逼近1,000美元,多头防线面临考验

TradingKey
作者Block Tao
2026年10月12日 11:30

AI播客

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美东时间10月12日,受长鑫存储下一代4F² DRAM技术突破及2026年底前推出DDR5服务器内存预告的影响,美光科技等存储概念股盘前集体下挫。美光股价盘前跌超2%逼近1000美元整数关口。该价格作为关键斐波那契支撑位,若失守恐打破中长线波段多头结构,面临进一步下行风险。

该摘要由AI生成

TradingKey - 美光科技盘前下挫超 2%,逼近1,000 美元,多头防线能否守住该关口? 

美东时间10月12日,美股市场中的存储概念股在盘前时段集体下跌,其中,存储巨头美光 (MU) 股价下跌2.15%,SK海力士 (SKHY) 跌1.98%,闪迪 (SNDK) 下跌1.77%、西部数据 (WDC) 跌1.75%。

以美光科技为代表的存储概念股这一次下跌,直接催化剂是长鑫存储(CXMT)下一代 DRAM 技术突破。周末,中国 DRAM 巨头长鑫存储正式公布其在下一代 4F² DRAM 存储单元结构上的关键进展,并预告将于 2026 年底前推出相关 DDR5 服务器内存(RDIMM)产品。 

10月10日,长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲,全面介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累,并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品,意味着传统通用型 DRAM 与服务器内存市场的供给可能会增加,对SK 海力士、美光等传统存储大厂的市占率与定价权恐造成冲击。

继前一交易日失守 1,030 美元关口后,美光科技股价盘前价格进一步下探,最低跌至1,003美元。1,000 美元 为极致的整数心理防线与斐波那契数列0.5支撑位,若开盘后能在 1,000–1,015 美元区间获得强劲现货买盘承接并拉出下影线,将形成极佳的短线止跌信号。 

micron-mu-price-0818820cf9364e24a8bf6f05fc3f6c43美光股价图表,来源:TradingView

然而,如果美光股价失守1000美元大关,将可能快速奔向下一个防线900美元,而且意味着将打破中长线 AI 存储龙头的波段多头结构,很大可能会跌至7月低点740美元。

本内容经由 AI 翻译并经人工审阅,仅供参考与一般资讯用途,不构成投资建议。

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