美光股价预测：三重利好推动股价重返1000美元关口，有望进一步突破1080美元

TradingKey - 美东时间7月23日，美光（MU）股价重返1000美元关口，截至发稿，涨4%，报1000美元。

美光的股价上涨主要受三重影响。

首先是谷歌与特斯拉的天量资本开支，为存储芯片带来了确定性的需求增量。，两家公司对 AI 算力基础设施的超前投入，将沿着产业链逐级传导至存储芯片环节，而美光作为全球三大存储巨头之一，是这一传导链条中最直接的受益者。

其次，英伟达下一代 Vera Rubin 平台的推进，进一步拉高了存储天花板。7月21日，英伟达更新了 Vera Rubin 平台的最新进展：Vera Rubin NVL72已正式进入量产爬坡阶段，相关机架已在 CoreWeave、Google Cloud、Microsoft Azure、Oracle Cloud Infrastructure 等合作伙伴处投入运行。

市场分析指出，Vera Rubin 对显存容量、带宽和封装复杂度提出了更高要求，而这一需求主要由美光、SK 海力士等存储厂商承接，为美光的 HBM 及高端 DRAM 业务打开了新的增长空间。

最后，TrendForce集邦咨询报告称，2026年AI需求爆发，加上NAND Flash产能增加有限，市场呈现供给紧缺。展望2027年，来自Server的需求持续强劲，在供应商提升制程、整体供给位元增速未见放缓，以及消费性电子市况仍处于低迷的情况下，预估NAND Flash供应紧张的情形有望于2027年下半年获得改善。

该机构续指，即便目前Server对NAND Flash的位元需求占比已逾40%，智能手机、笔记本的合计占比仍有近40%，对整体需求仍有关键影响力。从存货结构来看，目前原厂水位仍偏低，虽然模组厂因消费市场持续低迷，导致库存上升，但其他买家的库存仍在可控范围内。综合上述分析，预估2026年NAND Flash供应和需求位元的差距将落在-4%至-5%间，呈现缺货格局。至2027年下半年，预期两者的位元差距将转为正值，供给吃紧的压力有望缓解。

美光两小时股价图，来源：TradingView

从美光股价图来看，当前股价正式突破1000美元心理关口，止跌反弹信号强烈。从均线形态看，当前股价已上穿5日、10日、20日均线，短期均线已走平，多头信号初现。

盘中股价最高触及1011.77美元，并站上斐波那契0.382点位（976.50美元），形成有效突破并转化为短期支撑。与此同时，而本轮回调最低价格980美元，未跌破该点位，形成二次确认支撑。

下一目标位为1030美元，距离当前股价有3%的涨幅，若放量突破并站稳，则反弹空间有望打开指1083美元；否则回踩将在976美元找支撑。