SK Hynix và SanDisk ra mắt tiêu chuẩn lưu trữ HBF mới khi Google gia nhập hệ sinh thái
Tại Hội nghị Thượng đỉnh Bộ nhớ Flash 2026, SK Hynix và SanDisk đã công bố đặc tả tiêu chuẩn cho Công nghệ Flash Băng thông cao (HBF) thuộc Liên minh OCP. Với sự tham gia của Google và Tenstorrent, HBF được định vị là phân lớp lưu trữ mới, kết hợp băng thông cao của HBM và dung lượng lớn của SSD cho các máy chủ suy luận AI. Tiêu chuẩn này hỗ trợ tối đa 512GB, băng thông từ 0,4 TB/s đến 3,0 TB/s thông qua giao diện UCIe. Đồng thời, SK Hynix giới thiệu flash 4D NAND 375 lớp (V10), dự kiến sản xuất hàng loạt đầu năm sau.

TradingKey - Vào ngày 3/8 theo giờ miền Đông nước Mỹ, ngày khai mạc Hội nghị Thượng đỉnh Bộ nhớ Flash 2026 tại bang California, Mỹ, SK Hynix ( SKHY) và SanDisk ( SNDK) đã cùng công bố đặc tả tiêu chuẩn đầu tiên cho Công nghệ Flash Băng thông cao (HBF).
Hai công ty đã đạt được ý định hợp tác vào tháng 8 năm ngoái và chính thức thành lập Liên minh HBF trong khuôn khổ OCP vào tháng 2 năm nay. Chỉ mất đúng nửa năm kể từ khi liên minh chính thức ra mắt cho đến khi công bố đặc tả tiêu chuẩn.
Trong số các thành viên của Liên minh HBF, bên cạnh SK Hynix và SanDisk, còn có Google ( GOOGL) và công ty khởi nghiệp chip AI Tenstorrent. Sự tham gia của Google đồng nghĩa với việc ngay từ đầu, HBF đã nhắm tới nhu cầu thực tế của các trung tâm dữ liệu quy mô siêu lớn, thay vì chỉ dừng lại ở giai đoạn ý tưởng trong phòng thí nghiệm.
HBF không được định vị để thay thế HBM hay là một phiên bản nâng cấp của SSD, mà nhằm tạo ra một phân lớp lưu trữ mới nằm giữa hai công nghệ này.
Khi ngành công nghiệp AI chuyển dịch từ huấn luyện mô hình sang các ứng dụng suy luận, một mâu thuẫn ngày càng trở nên gay gắt: trong khi HBM có băng thông cao nhưng dung lượng hạn chế và đắt đỏ, khó lòng hỗ trợ quy mô tham số của các mô hình lớn; thì SSD có dung lượng dồi dào nhưng tốc độ đọc/ghi lại gặp nút thắt cổ chai phần cứng, không đáp ứng được yêu cầu về thời gian thực của quá trình suy luận AI.
HBF kết hợp bộ nhớ flash NAND với công nghệ xếp chồng 3D đã hoàn thiện từ quy trình sản xuất HBM, nhằm cung cấp cả băng thông cao lẫn dung lượng lớn, mang lại một lựa chọn lưu trữ chuyên dụng cho các máy chủ suy luận AI.
Đặc tả tiêu chuẩn này định nghĩa hai cấu hình dung lượng, lần lượt dựa trên xếp chồng chip NAND 8 lớp và 16 lớp, hỗ trợ tối đa 512GB. Băng thông được chia thành ba cấp độ (Grade 1~3), đạt khoảng từ 0,4 TB/s đến 3,0 TB/s.
HBF áp dụng giao diện kết nối UCIe tiêu chuẩn công nghiệp, có thể thích ứng linh hoạt với các bộ vi xử lý có kiến trúc khác nhau như GPU và CPU. Đặc tả này được công bố bởi OCP, tổ chức hợp tác công nghệ trung tâm dữ liệu mở lớn nhất thế giới, như một tiêu chuẩn mở chung cho toàn ngành chứ không phải là một giải pháp doanh nghiệp độc quyền.
Ngoài ra, trong khuôn khổ hội nghị thượng đỉnh, SK Hynix lần đầu tiên trưng bày công khai các tấm wafer và sản phẩm flash 4D NAND 375 lớp thế hệ thứ 10 (V10) với hiệu suất năng lượng tăng gấp 2,5 lần so với thế hệ trước, và dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt vào đầu năm tới. Công ty cũng cho biết sẽ tận dụng cơ hội này để thúc đẩy việc triển khai quy mô lớn HBF trên thị trường lưu trữ AI.
Đối với ngành công nghiệp chip nhớ, sự gia nhập của Google đã tạo thêm động lực quan trọng cho việc xây dựng hệ sinh thái HBF. Liệu HBF có thực sự lấp đầy được khoảng trống trong phân lớp bộ nhớ hay không vẫn phụ thuộc vào tốc độ và quy mô ứng dụng của các khách hàng cuối. Tuy nhiên, việc hoàn thiện đặc tả tiêu chuẩn này ít nhất đã mang lại một điểm khởi đầu rõ ràng cho mục tiêu đó.
Nội dung này được dịch bằng trí tuệ nhân tạo và đã được hiệu đính cho dễ hiểu hơn. Chỉ mang tính chất tham khảo.
Bài viết đề xuất













Bình luận (0)
Nhấn vào nút $ , nhập ký hiệu, và chọn để liên kết với một cổ phiếu, ETF, hoặc mã khác.