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SK Hynix despenca mais de 5% e se aproxima da marca de US$ 150 enquanto ações de memória ampliam perdas

TradingKey13 de out de 2026 às 08:40

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As ações do setor de memória registraram forte queda em 13 de outubro, no horário da costa leste dos EUA, lideradas pela SK Hynix, que despencou mais de 5%. Micron, Seagate, SanDisk e Western Digital também recuaram no pré-market. Esse movimento reflete a transição do mercado de um otimismo com a IA para a aversão ao risco e realização de lucros. A pressão vendedora foi intensificada pelos avanços da ChangXin Memory Technologies (CXMT) em DRAM e pela expectativa de aumento na oferta de DDR5, além dos elevados rendimentos dos títulos do Tesouro norte-americano, gerando preocupações sobre margens e fatias de mercado.

Resumo gerado por IA

TradingKey - Ações do setor de memória continuam em queda após SK Hynix despencar mais de 5%, liderando as perdas do setor de semicondutores.

Em 13 de outubro, no horário da costa leste dos EUA, o setor de memória no mercado acionário americano ampliou suas perdas, com as ações do segmento recuando de forma generalizada no pré-market. A Micron (MU) e a Seagate Technology (STX) caíram cerca de 3%, a SanDisk (SNDK) e a Western Digital (WDC) recuaram cerca de 4%, enquanto a SK Hynix liderou as perdas, caindo cerca de 5%, para a mínima de US$ 151,5.

skhy-price-65f90eeae45448ab8e20c63eef46ff32Gráfico do preço da ação da SK Hynix, Fonte: TradingView

Essa queda coletiva nas ações do setor de memória indica que o mercado migrou rapidamente de um otimismo extremo em relação ao superciclo de memórias para IA para uma fase de aversão ao risco, caracterizada por realização de lucros em níveis elevados e pela reestruturação do cenário competitivo, impulsionada pelo impacto de avanços tecnológicos dos concorrentes. A gigante chinesa de DRAM ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunciou progressos tecnológicos significativos na arquitetura DRAM 4F² de próxima geração e sinalizou a produção em massa de memórias DDR5 para servidores até o final de 2026.

Embora o segmento de HBM continue sendo difícil de substituir no curto prazo, as expectativas de aumento de oferta nos mercados de DRAM convencional e para servidores despertaram preocupações institucionais sobre a erosão da fatia de mercado futura e dos prêmios de preço dos produtos. Além disso, sob a influência dos rendimentos elevados e persistentes dos títulos do Tesouro dos EUA e da aversão ao risco macroeconômico, as ações de memória podem continuar enfrentando pressão de baixa.

Este conteúdo foi traduzido por IA e revisado por humanos. Ele é fornecido apenas para fins informativos e de referência, não constituindo aconselhamento financeiro ou recomendação de investimento.

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