Gigantes da memória, incluindo Micron, SK Hynix e SanDisk, avançam: vale a pena comprar ETFs de DRAM agora?

Em 2 de abril de 2026, a Roundhill Investments lançou o primeiro ETF do mundo focado exclusivamente no segmento de memórias, preenchendo uma lacuna no subsetor de chips. Diferentemente dos ETFs abrangentes de semicondutores, o ETF de DRAM estabelece critérios rigorosos de seleção de ações: a receita da empresa proveniente do negócio de memórias deve ultrapassar 50%, evitando assim a diluição da pureza do portfólio por atividades não essenciais, como design de chips e fabricação de equipamentos. O produto adota uma estratégia de gestão ativa, com taxa de administração de 0,65%, e passa por rebalanceamento trimestral.

As posições do ETF são altamente concentradas. Em 16 de agosto de 2026, as três principais participações — Micron Technology (25,42%), Samsung Electronics (25,4%) e SK Hynix (20,44%) — somavam, juntas, mais de 70%. Os componentes restantes são Seagate, SanDisk, CXMT, Western Digital, Kioxia, Nanya Technology e Winbond Electronics, nessa ordem.

[Fonte: Roundhill Investments]

A base dessa alta é um descompasso real entre oferta e demanda, e não mera especulação temática. O CEO da Micron, Sanjay Mehrotra, afirmou publicamente que a empresa consegue atender atualmente a apenas 50% a dois terços da demanda de determinados clientes-chave, classificando a situação como "o maior descompasso entre oferta e demanda da história".

Os preços fornecem a confirmação mais direta desse descompasso entre oferta e demanda. Os preços à vista (spot) da DDR5 (16Gb) dispararam mais de 4 vezes de novembro de 2025 até o final de junho de 2026; de acordo com dados da TrendForce, os preços dos contratos de DRAM padrão saltaram de 93% a 98% na comparação trimestral no primeiro trimestre de 2026 e continuaram a subir de 53% a 58% no segundo trimestre.

Mais crucial ainda, um único die de HBM consome de 3 a 4 vezes mais recursos de wafer do que uma DDR5 padrão, comprimindo continuamente a capacidade destinada à DRAM de uso geral.

Alguns fabricantes apresentaram projeções de resultados extremamente otimistas. A SanDisk destacou em seu Investor Day que espera que sua margem bruta não GAAP permaneça em torno de 80% nos anos fiscais de 2028 a 2030. Além disso, a empresa declarou explicitamente que, após concluir os investimentos no negócio nos próximos três anos, retornará 100% do seu caixa remanescente aos acionistas.

Em termos de valuation, o atual índice preço/lucro (P/L) da SanDisk está em cerca de 19,51x, o que parece modesto. No entanto, por trás desse P/L baixo está um crescimento de lucros que supera de longe a valorização das ações. A receita da Micron saltou 345,7% na comparação anual no terceiro trimestre do ano fiscal de 2026, enquanto a receita do quarto trimestre da SanDisk cresceu 372% em relação ao mesmo período do ano anterior. Quando os lucros se expandem a esse ritmo, os índices P/L retroativos (trailing) ficam sistematicamente defasados em relação aos fundamentos.

A concentração é o principal risco. Em 16 de agosto de 2026, as três maiores posições do ETF de DRAM eram Samsung Electronics, Micron e SK Hynix, representando juntas mais de 70%. Caso a tese das memórias se inverta, as perdas no valor patrimonial líquido (NAV) serão igualmente severas. Além disso, Samsung e SK Hynix juntas somam quase metade do peso do fundo, expondo-o ao risco cambial do won sul-coreano.

A divergência nas expectativas sobre o ciclo também não pode ser ignorada. O Goldman Sachs (GS) projeta que a relação apertada entre oferta e demanda persista até 2028, enquanto o BOCOM International estima que dure pelo menos até o quarto trimestre de 2027; no entanto, o Morgan Stanley (MS) espera que o crescimento anual dos preços dos contratos de DRAM atinja o pico no quarto trimestre de 2026. Um pico na taxa de crescimento não equivale a quedas nos preços, mas o mercado tipicamente precifica as mudanças de expectativas com antecedência.

Além disso, a própria volatilidade do ETF é um fator que não pode ser ignorado. Após atingir US$ 81,34 em 22 de junho, o ETF sofreu um drawdown máximo de quase 35% até o final de julho. O rebalanceamento feito pela equipe de gestão no início de agosto também enviou um sinal de cautela: ao mesmo tempo em que adicionou a ChangXin Technologies, reduziu sua posição na Samsung Electronics em cerca de 3 milhões de ações ao longo de três pregões consecutivos, embolsando aproximadamente US$ 432 milhões.

Para investidores táticos que estão familiarizados com o ritmo do setor de memórias e conseguem tolerar alta volatilidade, o ETF de DRAM continua sendo uma opção preferencial de alto beta. A tese central é que o aperto de capacidade impulsionado pela IA é estrutural, e o fato de a capacidade estar totalmente vendida até 2027 estabelece um piso para os lucros. Uma abordagem mais segura é montar posições em etapas, em vez de comprar tudo de uma vez. Além disso, a divulgação dos resultados da Micron referente ao 4º trimestre do ano fiscal de 2026 é iminente, e o fato de o desempenho atender ou não às expectativas impactará diretamente sua trajetória de curto prazo.

Para investidores que buscam alocações estáveis e de longo prazo, o momento atual não é necessariamente o melhor ponto de entrada. O ETF acumula uma recuperação de cerca de 30% desde a mínima de julho, com os catalisadores de curto prazo já parcialmente precificados pelo mercado; o alerta do Morgan Stanley sobre o pico do crescimento coexiste com a visão otimista do Goldman Sachs para 2028, indicando que uma volatilidade significativa está por vir.

A tese de médio a longo prazo para o superciclo de memórias muito provavelmente permanece intacta, mas, entre 'o ciclo não acabou' e 'faz sentido comprar agora', está a questão do preço de entrada. O ETF de DRAM é essencialmente uma ferramenta cujo valor depende, em grande medida, do timing e da tolerância ao risco do investidor.

Este conteúdo foi traduzido por IA e revisado por humanos. Ele é fornecido apenas para fins informativos e de referência, não constituindo aconselhamento financeiro ou recomendação de investimento.