SK Hynix sube más de un 8% al acelerar la transición al proceso DRAM 1c, que se prevé sea dominante en el primer trimestre del próximo año

TradingKey - Durante la sesión de negociación asiática del 7 de septiembre, las acciones de SK Hynix cerraron con una subida del 8,26%, situándose en 1,783 millones de wones surcoreanos (aproximadamente 1.324,58 dólares). Mientras tanto, el progreso de la empresa en la transición hacia nodos de proceso DRAM avanzados también ha atraído la atención del mercado.

[Fuente: TradingView]

Según el medio de comunicación surcoreano ChosunBiz, que cita fuentes del sector, SK Hynix está aumentando rápidamente la cuota de capacidad de producción de su proceso de 1c nm, la tecnología DRAM de clase 10 nm de sexta generación.

[Fuente: ChosunBiz]

Las estimaciones del sector indican que la proporción de DRAM de 1c en la capacidad total de DRAM de la empresa pasó de cerca del 10% en el primer trimestre de este año a alrededor del 13% en el segundo trimestre, y se prevé que aumente hasta cerca del 24% en el tercer trimestre y alcance aproximadamente el 34% en el cuarto trimestre. Para el primer trimestre de 2027, se espera que la cuota de 1c aumente aún más hasta cerca del 35%, superando por primera vez al proceso de 1b (estimado en alrededor del 33% para entonces) para convertirse en el mayor nodo de proceso DRAM de SK Hynix.

Por su parte, se prevé que la cuota de DRAM de 1b haya alcanzado su punto máximo en torno al 43% en el segundo trimestre de este año y disminuya de forma gradual a medida que se acelere la transición a 1c. SK Hynix confirmó anteriormente durante su conferencia de resultados del segundo trimestre que los productos DRAM que utilizan el proceso de 1c han comenzado a enviarse oficialmente a partir del segundo trimestre.

Las memorias HBM constituyen un área de aplicación clave para esta transición de nodo de proceso. SK Hynix sigue utilizando la madura DRAM de 1b en las HBM4 para garantizar la estabilidad de la producción a gran escala, mientras que la nueva generación HBM4E adoptará por primera vez la DRAM de 1c como su die central.

Durante su conferencia de resultados en abril de este año, la empresa declaró que planea suministrar muestras de HBM4E en la segunda mitad de 2026 y fijar como objetivo la producción a gran escala para 2027. El progreso real se ajusta a las expectativas; el 18 de junio, SK Hynix anunció que había enviado muestras de HBM4E de 12 capas a sus principales clientes. El producto alcanza una velocidad de transferencia máxima de 16 Gbps/pin, con una eficiencia energética mejorada en más de un 20% en comparación con la generación anterior.

Desde la perspectiva de la comparativa del sector, según las estimaciones del sector citadas por ChosunBiz, a finales del segundo trimestre de este año, la cuota de DRAM de 1c de Samsung Electronics y Micron (MU) se situó aproximadamente en el 16% y el 19% de sus respectivas capacidades de DRAM, por encima del nivel de SK Hynix de alrededor del 13% durante el mismo periodo.

Sin embargo, SK Hynix está acelerando la transición a su proceso de 1c en la segunda mitad del año. El informe prevé que, para el cuarto trimestre, la cuota de 1c de SK Hynix alcance alrededor del 34%, superando el aproximadamente 31% de Samsung Electronics para el mismo periodo.

Con el aumento de la cuota de DRAM de 1c y la mayor oferta de productos de alto valor añadido como servidores, IA y HBM, se prevé que el incremento de la producción de bits por oblea impulsado por los nodos de proceso más avanzados mejore la competitividad de costes y la estructura de márgenes.

SK Hynix prevé que, con la ampliación de la capacidad de HBM4 en la segunda mitad del año y el aumento de los envíos de DRAM de uso general basada en el proceso de 1c, su tasa de crecimiento de bits en la segunda mitad sea superior a la de la primera mitad.

Según las previsiones actuales del sector, se espera que el proceso de 1c se convierta en el principal nodo de proceso de la empresa en el primer trimestre del próximo año, proporcionando la capacidad y la base de proceso para la posterior producción a gran escala de HBM4E.