Los gigantes de la memoria, incluidos Micron, SK Hynix y SanDisk, suben: ¿Vale la pena comprar ETF de DRAM ahora?

El 2 de abril de 2026, Roundhill Investments lanzó el primer ETF del mundo centrado exclusivamente en el sector de las memorias, cubriendo un vacío en este subsector de los chips. A diferencia de los ETF de semiconductores de amplio espectro, el ETF de DRAM establece estrictos criterios de selección de acciones: los ingresos del negocio de memorias de la empresa deben superar el 50%, evitando así la dilución de la pureza de sus posiciones por parte de actividades no esenciales, como el diseño de chips y la fabricación de equipos. El producto adopta una estrategia de gestión activa con un ratio de gastos del 0,65% y reequilibra su cartera trimestralmente.

Las posiciones del ETF están muy concentradas. A 16 de agosto de 2026, las tres principales posiciones —Micron Technology (25,42%), Samsung Electronics (25,4%) y SK Hynix (20,44%)— representaban en conjunto más del 70%. Los componentes restantes son Seagate, SanDisk, CXMT, Western Digital, Kioxia, Nanya Technology y Winbond Electronics, en ese orden.

[Fuente: Roundhill Investments]

La base de este rally es un desajuste real entre la oferta y la demanda, en lugar de la especulación temática. El CEO de Micron, Sanjay Mehrotra, declaró públicamente que, en la actualidad, la empresa solo puede satisfacer entre el 50% y dos tercios de la demanda de ciertos clientes clave, calificándolo como "el mayor desajuste entre la oferta y la demanda de la historia".

Los precios ofrecen la confirmación más directa de este desajuste entre la oferta y la demanda. Los precios al contado de la memoria DDR5 (16 Gb) se multiplicaron por más de 4 desde noviembre de 2025 hasta finales de junio de 2026; según datos de TrendForce, los precios de contrato de la DRAM estándar se dispararon entre un 93% y un 98% intertrimestral en el primer trimestre de 2026 y continuaron subiendo entre un 53% y un 58% en el segundo trimestre.

Más importante aún, un solo die de HBM consume de 3 a 4 veces más recursos de oblea que la DDR5 estándar, reduciendo de forma continua la capacidad destinada a la DRAM de uso general.

Algunos fabricantes han presentado proyecciones de beneficios extremadamente optimistas. SanDisk señaló en su Día del Inversor que prevé que su margen bruto no GAAP se mantenga en torno al 80% para los ejercicios fiscales de 2028 a 2030. Además, la compañía declaró explícitamente que, tras completar las inversiones del negocio en los próximos tres años, devolverá el 100% de su efectivo restante a los accionistas.

En términos de valoración, el ratio precio-beneficio (PER) actual de SanDisk se ubica en torno a 19,51x, lo que parece modesto. Sin embargo, detrás de este bajo PER hay un crecimiento de los beneficios que supera con creces la revalorización de la acción. Los ingresos de Micron se dispararon un 345,7% interanual en el tercer trimestre del ejercicio fiscal 2026, mientras que los ingresos de SanDisk en el cuarto trimestre crecieron un 372% interanual. Cuando los beneficios aumentan a tal ritmo, los ratios PER históricos quedan sistemáticamente rezagados respecto a los fundamentales.

El principal riesgo es la concentración. A fecha de 16 de agosto de 2026, las tres principales posiciones del ETF de DRAM eran Samsung Electronics, Micron y SK Hynix, que en conjunto representaban más del 70%. Una vez que la tesis sobre el mercado de las memorias se invierta, las caídas del valor liquidativo (NAV) serán igualmente severas. Además, Samsung y SK Hynix suman de forma combinada casi la mitad de la ponderación, lo que expone al fondo al riesgo de divisa del won surcoreano.

Tampoco se puede ignorar la divergencia en las expectativas del ciclo. Goldman Sachs (GS) prevé que la estrechez entre la oferta y la demanda se mantenga hasta 2028, mientras que BOCOM International estima que durará al menos hasta el cuarto trimestre de 2027; sin embargo, Morgan Stanley (MS) espera que el crecimiento interanual de los precios de contrato de las memorias DRAM alcance su punto máximo en el cuarto trimestre de 2026. Que el ritmo de crecimiento alcance un máximo no equivale a caídas de precios, pero el mercado suele descontar los cambios en las expectativas con antelación.

Además, la propia volatilidad del ETF es un factor que no se puede ignorar. Tras alcanzar los 81,34 dólares el 22 de junio, el ETF sufrió una caída máxima de casi el 35% a finales de julio. El reequilibrio realizado por el equipo gestor a principios de agosto también envió una señal de cautela: al tiempo que incorporaba ChangXin Technologies, redujo su posición en Samsung Electronics en unos 3 millones de acciones durante tres días de negociación consecutivos, ingresando aproximadamente 432 millones de dólares.

Para los inversores tácticos que están familiarizados con el ritmo de la industria de las memorias y pueden tolerar una alta volatilidad, el ETF de DRAM sigue siendo una opción preferida de beta alta. La lógica central es que la saturación de capacidad por la IA es de carácter estructural, y el hecho de que la capacidad esté vendida por completo hasta 2027 proporciona un suelo para los beneficios. Un enfoque más seguro es construir posiciones por tramos en lugar de comprar todo de golpe. Además, la publicación de los resultados de Micron correspondientes al cuarto trimestre del año fiscal 2026 es inminente, y el hecho de que sus resultados cumplan o no con las expectativas afectará directamente a su rumbo a corto plazo.

Para los inversores que buscan asignaciones estables a largo plazo, puede que el momento actual no sea necesariamente el mejor punto de entrada. El ETF se ha revalorizado cerca de un 30% desde su mínimo de julio, y el mercado ya ha descontado parcialmente los catalizadores a corto plazo; la advertencia de Morgan Stanley sobre el punto máximo del crecimiento coexiste con las perspectivas alcistas de Goldman Sachs para 2028, lo que indica que se avecina una volatilidad considerable.

Es muy probable que la tesis a medio y largo plazo sobre el superciclo de las memorias siga intacta, pero entre «el ciclo no ha terminado» y «comprar justo ahora tiene sentido» se encuentra la cuestión del precio de entrada. El ETF de DRAM es en esencia una herramienta cuyo valor depende en gran medida del momento de entrada del usuario y de su tolerancia al riesgo.

Este contenido ha sido traducido por IA y revisado por humanos. Se ofrece solo con fines de referencia e información general, y no constituye asesoramiento en materia de inversión.