Mejora de la alianza entre Samsung y Nvidia: HBM4E, HBM5 y la fundición de chips para conducción autónoma entran en conversaciones sustanciales
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Samsung Electronics y NVIDIA discuten la cooperación en fundición para chips de próxima generación y tecnologías futuras como HBM4E y HBM5. Ambas empresas colaboran en chips de conducción autónoma y aceleradores de IA. NVIDIA confirmó que Samsung, SK Hynix y Micron han superado la calificación HBM4 y se preparan para la producción masiva para la plataforma de IA Vera Rubin. Samsung aceleró su posicionamiento estratégico con HBM4E y ya presentó HBM5. Se espera que la cooperación en fundición se expanda, con Groq encargando a Samsung la producción de su LPU Groq 3.
TradingKey - El 8 de junio, hora de Seúl, Jun Young-hyun, director de la división de chips de Samsung Electronics, declaró que la empresa ha mantenido extensas conversaciones con NVIDIA ( NVDA) y su CEO Jensen Huang sobre la cooperación en fundición para chips de próxima generación y tecnologías futuras como HBM4E y HBM5. Ambas partes están colaborando en chips de conducción autónoma para nodos de 4nm y 8nm, así como en el segmento de chips aceleradores de NVIDIA.
Justo antes de la reunión, NVIDIA confirmó que los tres gigantes de la memoria —Samsung Electronics, SK Hynix y Micron ( MU) Technology— han superado la calificación HBM4 y han entrado en la fase de producción en masa, y suministrarán HBM4 para la plataforma de IA de próxima generación de NVIDIA, Vera Rubin. Vera Rubin se encuentra ahora en plena producción, con entregas programadas para comenzar en el tercer trimestre de este año.
De HBM4 a HBM5: Samsung acelera su posicionamiento estratégico
Jun Young-hyun reveló que ambas partes mantuvieron discusiones profundas sobre los planes de cooperación a largo plazo para HBM4E y HBM5. Samsung Electronics fue la primera empresa del mundo en producir en masa la sexta generación HBM4 en febrero de este año, suministrando posteriormente muestras de la séptima generación HBM4E de 12 capas a clientes globales a finales de mayo, lo que tomó solo unos tres meses desde la producción en masa de HBM4 hasta el envío de muestras de HBM4E.
Samsung reveló oficialmente que el HBM4E alcanza una velocidad máxima de transferencia por pin de hasta 16 Gbps y un ancho de banda total de 4 TB/s por stack, y se espera que se integre en los aceleradores de IA de próxima generación de NVIDIA, como el Vera Rubin Ultra, que se lanzará en la segunda mitad del próximo año.
En el Computex Taipei 2026, Samsung presentó por primera vez la octava generación HBM5, y la solución térmica integrada para el empaquetado HPB adjunto ya ha completado la validación de campo en el HBM4E.
El analista de KB Securities, Lee Seung-woo, proyectó anteriormente que si Samsung asegura un acuerdo de suministro de HBM4E con NVIDIA, podría generar entre 8.000 y 10.000 millones de dólares en ingresos anuales para el negocio de memorias de Samsung.
Se espera que la cooperación en fundición se expanda.
Actualmente, el unicornio estadounidense de chips de inferencia de IA, Groq, ha encargado a Samsung la producción de la LPU Groq 3 utilizando su proceso de 4 nm. Han Jin-man, presidente de Samsung Foundry, declaró: "Nuestro proceso de 4 nm no es de ninguna manera inferior". Ambas partes han discutido una cooperación a largo plazo, y el mercado espera que Samsung consiga más pedidos de fundición de chips de IA en los nodos de 3 nm y 2 nm en el futuro.
En la última conferencia GTC, NVIDIA integró la LPU Groq 3 en su plataforma Vera Rubin para crear una solución de inferencia heterogénea "GPU+LPU". Durante su visita a Corea del Sur, el CEO Jensen Huang enfatizó que la escasez de suministro de chips de memoria persistirá durante varios años, señalando que "toda la cadena de suministro de la industria, desde las obleas y el empaquetado hasta la fotónica de silicio, se enfrenta a una escasez de suministro generalizada". También afirmó que las acciones relacionadas con la IA están muy baratas actualmente y que la demanda a largo plazo sigue siendo sólida.
Las acciones de Samsung se desplomaron más de un 10% el lunes.
Samsung Electronics experimentó una profunda corrección el lunes, a pesar de la anticipación del mercado ante las noticias de la asociación. Afectado por las decepcionantes previsiones de chips de IA de Broadcom ( AVGO) y por unas nóminas no agrícolas de mayo en EE. UU. más sólidas de lo previsto, el índice surcoreano KOSPI se desplomó más del 8% en las primeras operaciones, activando el interruptor de circuito y cerrando con una caída del 8,29%. Samsung Electronics finalizó en 295.500 wones, con un descenso del 10,18%.
[Fuente: TradingView]
Este contenido ha sido traducido por IA y revisado por humanos. Se ofrece solo con fines de referencia e información general, y no constituye asesoramiento en materia de inversión.
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