Pronóstico del precio de las acciones de Micron: la estrechez en la oferta de memoria se mantendrá hasta 2027 mientras las acciones podrían volver a los $1,000

Según el medio de comunicación DIGITIMES, que cita a fuentes del sector, la capacidad de DRAM y memoria de gran ancho de banda (HBM) para 2027 de Samsung Electronics, Micron y SK Hynix se ha asignado por completo, cubriendo tanto a los principales clientes con acuerdos a largo plazo como a los compradores pequeños y medianos.

El informe señala que la asignación final recibida por los clientes es de solo entre el 60% y el 70% de sus solicitudes iniciales. Fuentes del sector señalaron que 2027 entrará en la fase más grave de la escasez de memoria. Aunque los volúmenes de asignación ya se han definido prácticamente en su totalidad, los precios finales de envío se determinarán a medida que se acerque la entrega.

Mientras tanto, la capacidad de NAND Flash para todo el año de Samsung Electronics, Micron y SanDisk también se ha prevendido por completo, mientras que se espera que Kioxia y SK Hynix completen sus asignaciones a más tardar a finales de agosto de 2026.

Goldman Sachs afirmó que la demanda de HBM impulsada por los servidores de IA sigue superando a la oferta, mientras que el rendimiento de producción de la última generación de HBM ha disminuido significativamente debido a nodos de proceso más avanzados y a un mayor número de capas de apilamiento. Esto, sumado a una mayor tasa de conversión entre la HBM y la DRAM convencional, dificulta aún más la expansión de la oferta. Goldman Sachs prevé que la brecha entre la oferta y la demanda de HBM en 2027 sea más ajustada que la de este año.

Goldman Sachs prevé además que los precios medios de venta (ASP) combinados de la HBM de Samsung Electronics y SK Hynix aumenten aproximadamente un 87% y un 100% interanual, respectivamente, en 2027, acercándose ambos a los 2,9 dólares por Gb. Dentro de esto, el aumento de precio para productos comparables es de alrededor del 60%, y el incremento restante provendrá de las mejoras en la combinación de productos.

Aunque los principales fabricantes han optado recientemente por ampliar su capacidad en respuesta a la escasez de suministro —Samsung planea una expansión de capacidad del 50%, SK Hynix está aumentando significativamente su gasto de capital, impulsando una IPO de 26.500 millones de dólares y más de 880.000 millones de dólares en inversiones industriales nacionales en Corea del Sur, mientras que Micron se ha comprometido a invertir 250.000 millones de dólares en Estados Unidos para 2035—.

Sin embargo, los analistas de Morningstar advirtieron que la capacidad de las nuevas plantas de fabricación tarda entre 2 y 3 años en entrar en funcionamiento, y cuando el pico de producción coincide con una desaceleración de la demanda, existe un riesgo significativo de exceso de oferta.

Con la salida a bolsa de ChangXin Memory Technologies (CXMT) completada el 27 de julio, la compañía ha iniciado oficialmente su competencia con Micron, Samsung y SK Hynix. A los inversores les preocupa que los fabricantes de memoria chinos puedan afectar al panorama global de la oferta y la demanda.

Según diversos informes, Apple ha comenzado a probar los chips DRAM de ChangXin Memory Technologies (CXMT). De acuerdo con otras informaciones recientes, los principales fabricantes de PC han empezado a adquirir chips DRAM de CXMT para determinados modelos de portátiles con el fin de hacer frente a la continua escasez de memoria.

Sin embargo, Goldman Sachs considera que la expansión de CXMT se centrará principalmente en la demanda interna, por lo que tendrá un impacto material limitado en el ajustado panorama global de la oferta y la demanda. Respecto a la brecha tecnológica, Goldman Sachs citó datos de TrendForce para señalar que el proceso convencional actual de CXMT equivale al nodo 1z, mientras que Samsung y Hynix se encuentran en fase de transición de los nodos 1a/1b al 1c.

En cuanto a la gama de productos, alrededor del 70% de los envíos de DRAM móvil de CXMT corresponden a LPDDR4(X), mientras que el LPDDR5(X) ya representa entre el 75% y el 85% de la DRAM móvil de Samsung y Hynix, lo que evidencia una clara divergencia en el posicionamiento de sus productos.

BofA considera que la china ChangXin Memory Technologies (CXMT) "aún no representa una amenaza" en el campo de la inteligencia artificial, ya que suministra principalmente DRAM estándar en lugar de memoria de alto ancho de banda (HBM).

Al observar el gráfico de cotización de Micron, la recuperación ha continuado desde que rebotó desde su mínimo provisional de $737,88, con el precio recuperando varias medias móviles de corto y medio plazo y volviendo a situarse por encima del nivel de retroceso de Fibonacci de 0,618 ($907,09).

Los alcistas a corto plazo todavía conservan cierta ventaja, pero el precio actual está poniendo a prueba el límite superior del canal descendente a largo plazo, lo que deja a la tendencia en una fase crítica de confirmación sobre si la "continuación del rebote" puede elevarse a una "recuperación de la tendencia".

Gráfico de cotización de Micron de 2 horas, Fuente: TradingView

Desde la perspectiva del patrón, el precio de la acción cotiza actualmente cerca del límite superior del canal descendente, con la zona alrededor de los $918-$925 limitada tanto por la resistencia del canal como por una zona previa de congestión de alto volumen. Si la cotización logra mantenerse de forma sostenida por encima de este rango, indicaría que el canal descendente podría haberse roto oficialmente; por el contrario, si retrocede tras probar niveles más altos, el movimiento aún debería considerarse como un rebote dentro del canal.

El soporte principal a corto plazo se encuentra en el nivel de retroceso de Fibonacci de 0,618 ($907,09), que también está cerca de la media móvil de 80 períodos y de la banda de soporte de medias móviles reciente, sirviendo como la línea divisoria clave entre la fuerza y la debilidad de la estructura de rebote actual. Si este nivel se mantiene tras un retroceso, la cotización de la acción aún tendrá la oportunidad de desafiar al alza el límite superior del canal y el nivel de retroceso de Fibonacci de 0,786 ($953,30).

El segundo nivel de soporte por debajo se sitúa en el nivel de retroceso de Fibonacci de 0,5 ($874,78), cuya ruptura a la baja sugeriría que el impulso de esta ronda de rebote se está debilitando significativamente; más abajo, se debe prestar atención al nivel de retroceso de Fibonacci de 0,382 ($842,47).

El mayor riesgo actual es que, aunque Micron ha recuperado sus principales medias móviles, todavía no ha logrado una ruptura efectiva por encima del límite superior del canal descendente. Si el precio encuentra resistencia repetidamente en la zona de $918-$925, la toma de beneficios a corto plazo podría empujar al precio a volver a probar los $907,09. Solo una consolidación con un volumen elevado por encima del límite superior del canal, acompañada de una ruptura adicional por encima del nivel de retroceso de Fibonacci de 0,786 ($953,30), confirmaría con mayor fuerza que la estructura técnica a medio plazo está pasando de una tendencia bajista a una recuperación.

Este contenido ha sido traducido por IA y revisado por humanos. Se ofrece solo con fines de referencia e información general, y no constituye asesoramiento en materia de inversión.