Samsung und SK Hynix verlieren im Tagesverlauf über 4 %, da Chinas ChangXin Memory Fortschritte bei DRAM-Technologie der nächsten Generation bekannt gibt
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Südkoreanische Speicherchip-Aktien gaben am 12. Oktober nach, da Samsung Electronics und SK Hynix Kursverluste verzeichneten. Grund dafür sind technologische Fortschritte des chinesischen Wettbewerbers CXMT bei der nächsten Generation der 4F²-DRAM-Architektur, die eine höhere Speicherdichte und verbesserte Energieeffizienz verspricht. CXMT plant die Markteinführung von DDR5-Server-Speichern bis Ende 2026, während etablierte Marktführer wie Samsung die Serienproduktion für 2028 anvisieren. Angesichts des auf zehn Prozent gestiegenen globalen Marktanteils von CXMT im zweiten Quartal 2026 bewerten Anleger den künftigen globalen Wettbewerbsdruck im DRAM-Sektor neu, wobei die kommerzielle Umsetzung noch abzuwarten bleibt.
TradingKey – Am 12. Oktober gaben südkoreanische Speicherchip-Aktien im Tagesverlauf spürbar nach. Bis Redaktionsschluss fiel Samsung Electronics (005930.KS) um bis zu etwa 4,2 % auf 252.500 Won, während SK Hynix (000660.KS) um bis zu rund 4,01 % auf 1.624.000 Won nachgab. Der chinesische DRAM-Hersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) gab Fortschritte bei der Forschung und Entwicklung von Speichertechnologie der nächsten Generation bekannt, was den Fokus des Marktes weiter auf den sich verschärfenden Wettbewerb in der globalen DRAM-Branche lenkte.
Täglicher Aktienkurs-Chart von Samsung Electronics, Quelle: TradingView
ChangXin Memory Technologies gab bekannt, dass das Unternehmen wesentliche Fortschritte bei der F&E von 4F²-DRAM-Speicherzellenarchitekturen der nächsten Generation erzielt hat. Im Vergleich zur 6F²-Architektur, die in derzeitigen kommerziellen Mainstream-DRAMs verwendet wird, kann das 4F²-Design mehr Speicherzellen pro Chip-Flächeneinheit integrieren, was die Speicherdichte erhöht und gleichzeitig die Energieeffizienz verbessert. CXMT nutzte eine selbst entwickelte Vertical-Surrounding-Gate-Transistorarchitektur, um die Fläche der einzelnen Speicherzellen zu verkleinern und Leckströme zu reduzieren.
CXMT-Präsident Cao Kanyu erklärte, dass das Unternehmen plant, vor Ende 2026 auf entsprechenden Technologien basierende DDR5-RDIMM-Server-Speicherprodukte der nächsten Generation auf den Markt zu bringen. Derzeit entwickeln auch Samsung und SK Hynix die 4F²-Technologie; SK Hynix hat bereits zuvor eine entsprechende F&E-Roadmap veröffentlicht, während Samsung Berichten zufolge plant, die Serienproduktion von Sub-10-nm-DRAM auf Basis dieser Architektur bis 2028 zu erreichen.
Der weltweite DRAM-Marktanteil von CXMT ist in den letzten Jahren rasch gewachsen. Daten von Counterpoint zeigten, dass der weltweite DRAM-Umsatzanteil von CXMT im zweiten Quartal 2026 auf 10 % stieg, was einem deutlichen Anstieg gegenüber 4 % im Vorjahreszeitraum entspricht; im selben Zeitraum entfielen auf Samsung rund 38 %, auf SK Hynix rund 25 % und auf Micron (MU) rund 24 %.
Allerdings hat CXMT bisher weder vollständige technische Spezifikationen noch einen konkreten Zeitplan für die Serienproduktion seiner Produkte der nächsten Generation bekannt gegeben. Daher bleibt abzuwarten, ob sich dieser F&E-Durchbruch in großvolumige kommerzielle Aufträge im Servermarkt umsetzen lässt. Kurzfristig veranlassen die kontinuierliche Ausweitung des Marktanteils von CXMT sowie die Fortschritte bei fortschrittlicher DRAM-Technologie die Anleger dazu, den künftigen Wettbewerbsdruck auf etablierte Speicherhersteller wie Samsung und SK Hynix neu zu bewerten.
Dieser Inhalt wurde KI-übersetzt und von Menschen überprüft. Er dient nur zu Referenz- und Informationszwecken und stellt keine Anlageberatung dar.
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