美股盤前 | 存儲齊跌！SK海力士跌近5%，美光、閃迪跌逾3%；長鑫宣佈在關鍵架構研發上取得進展

華盛資訊10月13日訊，存儲概念股盤前齊跌！SK海力士跌近5%，美光科技、閃迪跌逾3%，三倍做多半導體ETF $SOXL 跌近6%，3倍做多韓國ETF $KORU 跌逾10%。

消息面上，長鑫芯片宣佈在關鍵架構研發上取得重要進展。

光通信概念股走低，邁威爾科技跌近3%，Lumentum、Coherent跌近2%。

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週末來自上海的消息成爲此輪存儲板塊拋售的重要催化劑。據報道，在10月9日至10日舉行的第四屆集成芯片和芯粒大會上，長鑫科技總裁曹堪宇宣佈，公司在4F²架構研發上取得關鍵進展，並官宣預計年底推出融合4F²架構、混合鍵合等先進技術的新一代DDR5 RDIMM產品，直接面向服務器內存市場。

據悉，長鑫自成立起便啓動4F²研究與專利佈局，公開專利族超300件，數量據稱領先海內外同行。公司於2021年發表4F²架構相關論文，並在2023年、2025年持續披露研發進展。2025年，長鑫還在IEDM發表論文，介紹了在12英寸晶圓平臺上完成DRAM與CMOS晶圓級鍵合實驗驗證的成果。

對三星和SK海力士而言，這一時間線構成直接壓力。SK海力士直至2025年才公佈4F²路線圖，三星據韓國媒體The Elec報道，目標是2028年實現基於該架構的10nm以下DRAM量產。若長鑫年底如期交付4F² DDR5 RDIMM產品，將在單元架構層面領先韓國兩大巨頭約兩年。

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