先進封裝 | 消息稱臺積電CoWoS供應持續緊張，客戶聚焦英特爾EMIB-T

臺積電（TSMC）的先進封裝技術CoWoS供應合同已排至明年，幾乎沒有進一步擴大產能的空間。在供應瓶頸持續的情況下，全球大型科技公司和無晶圓廠半導體設計公司正考慮或已經開始採用英特爾改進版嵌入式多芯片互連橋技術（EMIB），即“EMIB-T”，作爲替代方案。

大型科技公司關注EMIB-T，聯發科、博通和Meta在列

業內人士9月2日表示，聯發科在近期財報中正式表示，公司將同時採用CoWoS和EMIB-T，開發超大型人工智能專用集成電路（ASIC）。

據報道，博通和Meta也在考慮從CoWoS轉向EMIB，以降低成本；谷歌和英偉達也被指對EMIB-T表現出興趣。

在韓國企業中，SK海力士的動向尤其受到關注。SK海力士此前與臺積電密切合作，以優化高帶寬內存（HBM）和CoWoS。近期，該公司從英特爾獲得了採用EMIB技術的基板，據稱正在考慮一種將HBM和系統半導體共同封裝的方法。業內認爲，這可能是爲了實現封裝供應鏈多元化，降低對臺積電的集中依賴。

這些動向的背後，是AI半導體需求激增帶來的臺積電嚴重供應短缺。

目前，臺積電CoWoS的預訂已經排至2027年，部分客戶據稱需要等待一年以上。即使前端晶圓生產沒有出現問題，後端封裝環節的瓶頸也正在推遲成品出貨。

無需大型中介層，成本最高可降低約50%

CoWoS與EMIB最大的區別，在於兩者連接GPU等計算芯片與HBM的方式不同。

CoWoS將計算芯片和HBM並排放置在大型硅中介層（silicon interposer）上，並通過覆蓋整個硅片的佈線連接不同芯片。

相比之下，EMIB完全不需要這樣的大型硅中介層，而是在基板內部，僅在計算芯片和HBM實際連接的位置嵌入小型硅橋。

近期受到關注的並非最初版本的EMIB，而是升級後的EMIB-T。

EMIB自2017年開始量產，只能讓相鄰芯片之間進行水平方向的信號傳輸；EMIB-T則在硅橋內部加入硅通孔（TSV），使電力和高速信號也能夠進行垂直傳輸。

由於只在必要位置使用成本較高的硅材料，英特爾稱，EMIB-T的製造成本最高可比CoWoS低50%。

不過，也有觀點認爲，目前很難說EMIB在所有方面都優於CoWoS。

EMIB在計算芯片與相鄰芯片之間進行局部整合方面具有優勢，但對於需要高密度連接多個HBM堆棧及周圍芯粒、並以單個GPU爲中心進行設計的方案，一些分析人士認爲，採用大型中介層的CoWoS在佈線密度和可擴展性方面仍然領先。

量產良率存在分歧，臺積電開發應對技術

業內對於EMIB-T成熟度的評價仍存在分歧。

部分人士認爲，EMIB-T最終封裝的量產良率已經提升至98%，與CoWoS相當；但也有人分析認爲，其良率仍維持在約90%。

此外，作爲組裝前環節的硅橋基板本身，其製造良率目前仍約爲50%，這意味着基板供應可能成爲EMIB-T進一步普及面臨的更根本瓶頸。

臺積電似乎也正在採取應對措施。

此前有當地媒體報道稱，臺積電正與臺灣基板廠商景碩合作開發類似EMIB的內部封裝技術。相關報道傳出後，臺積電美國存託憑證（ADR）一度上漲超過7%，英特爾股價也上漲超過12%。

業內預計，隨着EMIB-T明年進入大規模量產階段，市場可能迎來一個重要轉折點。

一名半導體行業人士表示：“EMIB-T明年實現量產後，需要觀察實際客戶轉移的訂單規模，才能判斷市場格局是否會發生變化。”

但該人士同時表示，只要CoWoS供應緊張的局面沒有緩解，英特爾可能仍將繼續受益。