海外存儲巨頭亮出下一代存儲技術，半導體設備ETF易方達（159558）標的指數盤初漲超5%

8月5日盤初，半導體板塊拉昇，截至9:43，中證半導體材料設備主題指數上漲5.5%，上證科創板芯片指數上漲4.5%。同花順iFinD數據顯示，截至昨日，半導體設備ETF易方達(159558)近一月獲超65億元資金淨流入。

消息面上，三星電子在美國加州“未來內存與存儲”大會上集中展示面向AI時代的下一代內存技術，包括超400層V10B V-NAND原型、垂直堆疊式高帶寬內存zHBM及zNAND-O架構。其中V10B V-NAND採用晶圓鍵合架構，存儲密度較前代提升約58%，讀寫速度與輸入輸出性能均得到改善，力圖在近萬億美元存儲芯片市場中鞏固領先地位。

長江證券指出，半導體設備是存儲芯片產業鏈實現產能擴張與技術迭代的底層支撐，從前道光刻、刻蝕等核心工藝的製程升級，到中後道TSV硅通孔與先進封裝的產能構建，設備投資在存儲擴產週期中具備顯著的前置效應。

半導體設備ETF易方達(159558，聯接基金A/C：021893/021894)跟蹤中證半導體材料設備主題指數，聚焦半導體上游關鍵環節，覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、量測檢測等核心設備與材料領域；科創芯片ETF易方達(589130，聯接基金A/C：020670/020671)跟蹤上證科創板芯片指數，匯聚科創板芯片龍頭，聚焦AI芯片、先進製程、半導體設備等方向，助力投資者佈局半導體產業鏈景氣機遇。