英特爾（INTC）盤中漲逾9% 市傳其EMIB-T先進封裝技術良率已接近90%

金吾財訊 | 英特爾（INTC）盤中拉昇9.30%，最新報99.46美元，成交額35.95億美元。

消息面上，市傳英特爾正全力推進俄亥俄州大型晶圓廠園區建設，目標在2031年實現全面運營，爲加速工程落地，公司向員工提供高額加班獎金以推進建設進度。該園區佔地約1000英畝，將生產英特爾“埃米時代”的18A和14A製程節點，計劃2031年實現14A工藝的大規模量產。同時，英特爾EMIB-T先進封裝技術取得重要進展，其成本較臺積電CoWoS方案低約50%，英特爾預計2027年大規模提供該封裝服務，目前該技術封裝良率已接近90%，但基板良率僅約50%，成爲產能擴展的主要障礙，相關供應商正着力提升對應產能與良率。

還值得一提的是，英特爾近日宣佈將2026年資本支出由原先約170億美元大幅提高至逾200億美元，並預告2027年將持續增加投資。高盛對此研究指，此舉代表英特爾正全面押注先進製程、先進封裝、AI服務器需求及晶圓代工業務的長期成長，正式開啓新一輪大型資本支出週期。高盛維持對英特爾“中性”評級及150美元目標價，認爲短期營運明顯改善，但長期轉型仍有多項挑戰待克服。