美股異動 | 費城半導體指數漲幅擴大至5%！成分股中，ARM、邁威爾科技、Coherent均飆升逾11%
華盛資訊8月4日訊，費城半導體指數漲幅擴大至5%！成分股中， $ARM 、邁威爾科技、Coherent均飆升逾11%； $ALAB 升逾9%，將於盤後公佈業績；英特爾升近8%，美光科技升近7%，美國超微公司、泛林集團升約6%，應用材料升逾5%。
其他存儲、光通信概念同步走強，閃迪升逾9%，SK海力士升逾5%； $AAOI 升逾18%，Lumentum升逾7%。
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- SK海力士與閃迪聯合發佈HBF首份標準規範
SK海力士發佈聲明稱，SK海力士與閃迪推出高帶寬閃存(HBF)的行業首套標準規範，HBF屬於下一代存儲技術。該公告恰逢“2026年未來內存與存儲大會”(FMS 2026)開幕，該大會於8月4日至6日(當地時間)在加利福尼亞州聖克拉拉會議中心舉行。該公司將在大會期間通過主題演講和小組討論，重點介紹HBF技術，並將其作爲克服人工智能時代內存瓶頸的關鍵技術。
這也是兩家企業組建聯盟約六個月後達成這一里程碑進展。谷歌與Tenstorrent同樣加入該HBF聯盟。
- 消息稱存儲三大原廠已完成2027全年產能分配談判，DRAM與HBM產能售罄
業界人士指出，三星電子、美光及SK海力士已完成2027全年產能分配談判，三大原廠的DRAM與HBM產能均提前售罄。 NAND Flash雖然沒有像DRAM一樣供應喫緊，但預計2026年8月底前的產能也將被預訂完畢。無論是否簽訂LTA長期合約，買家均配合原廠的提前預付訂金模式，這將應驗2027年是“存儲最短缺一年”的看法，但後續價格漲幅有望趨緩。
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