HBF首套標準確立開啓存儲新紀元，半導體設備ETF易方達（159558）昨日獲超7億元資金淨流入

截至9:38，中證半導體材料設備主題指數上漲0.8%。同花順iFinD數據顯示，半導體設備ETF易方達(159558)昨日獲資金淨流入7.3億元。

近日，SK海力士與閃迪聯合發佈高帶寬閃存(HBF)行業首套標準規範，HBF兼具接近HBM的高速傳輸能力與NAND閃存大容量優勢，定位介於HBM與固態硬盤之間的新型存儲層級。谷歌與Tenstorrent同步加入該聯盟，推動產業生態加速成形。此外，存儲三大原廠已完成2027全年產能分配，DRAM與HBM產能已全部售罄。

市場分析指出，HBM擠佔效應加劇供需緊張，存儲漲價驅動利潤釋放。在AI需求持續增長、先進產能擴張相對緩慢的背景下，存儲技術持續迭代升級，正帶動上游半導體材料與設備環節資本開支穩步擴張。

中證半導體材料設備主題指數聚焦半導體產業鏈上游核心環節，覆蓋半導體設備、材料、封裝測試等細分領域。半導體設備ETF易方達(159558，聯接基金A/C：021893/021894)跟蹤該指數，助力投資者把握半導體設備產業長期成長機遇。