據報三星與英偉達結盟，共同開發下一代 NAND 技術

據韓國媒體消息，業內消息人士證實，三星（Samsung Electronics ）已與 Nvidia 合作，加速下一代 NAND 閃存芯片的開發。

三星與英偉達聯合開發了一套人工智能系統，可大幅提升基於**鐵電材料（ferroelectric materials）**的超低功耗 NAND 技術的研發速度。這項技術被認爲將決定未來 AI 芯片的性能。該戰略反映出兩家公司在全球 AI 半導體熱潮中，爲爭奪下一代芯片技術領導地位而展開的合作與佈局。

據業內人士 12 日透露，由三星電子半導體研究所、英偉達以及 Georgia Institute of Technology 組成的聯合研究團隊，開發了一種名爲 “Physics-Informed Neural Operator（PINO）” 的模型。該模型能夠對鐵電 NAND 器件性能進行分析，其速度比傳統方法快超過 1 萬倍。相關研究成果已經在全球發佈。

鐵電材料是一類新型材料，即使在沒有持續電力輸入的情況下，也能保持極化狀態（正負電荷分離）。由於其能夠以極低功耗高效存儲信息，因此將其應用於 NAND 存儲器器件的研究近年來十分活躍，而三星電子一直處於這一領域的領先位置。鐵電 NAND指的是使用鐵電材料而非傳統硅材料製造的 NAND 存儲器。

要實現鐵電 NAND 的商業化，需要通過計算機仿真精確分析並改進材料性能，例如閾值電壓（threshold voltage）和數據保持能力（data retention）等關鍵指標。半導體行業廣泛使用的分析工具 TCAD（Technology Computer-Aided Design） 在每次計算時通常需要約 60 小時，嚴重限制了研究速度。而三星與英偉達的研究團隊通過基於物理定律訓練的 AI，將單次運算時間縮短至不到 10 秒。

基於這項研究成果，三星電子計劃與其最大內存客戶英偉達在鐵電 NAND 的開發和商業化方面展開進一步合作，這也引發了業界對雙方未來動作的關注。去年年底，三星電子曾在國際期刊 Nature 上發表研究，宣佈其鐵電 NAND 技術相較傳統 NAND 可將功耗降低 96%，被視爲存儲行業的一項重大創新。

根據 Korean Intellectual Property Office 的數據，在全球鐵電相關專利份額排名前五的國家中，韓國以 43.1% 位居第一，其中三星電子佔 27.8% 的份額，是推動韓國領先地位的主要力量。