英諾賽科(02577.HK)漲超14% 與NVIDIA合作為800 VDC電源架構提供全GaN電源解決方案

【財華社訊】英諾賽科(02577.HK)高開近15%，截止發稿，漲14.34%，報88.5港元。消息面上，該公司公佈，英諾賽科正與NVIDIA合作，攜手支持800 VDC電源架構，為新一代GPU路線圖的擴展提供保障。

英諾賽科第三代氮化鎵技術具備決定性優勢，在800V輸入側，英諾賽科氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)相比在每個開關半週期內可降低80%的驅動損耗和50%的開關損耗，從而實現整體功耗降低10%；在54V輸出端，僅需16顆英諾賽科氮化鎵器件即可實現與32顆硅MOSFET相同的導通損耗，不僅將功率密度提升一倍，還使驅動損耗降低90%；與現有機架架構中的硅MOSFET相比，800VDC的低壓電源轉換階段採用氮化鎵材料可將開關損耗降低70%，並在相同體積內實現功率輸出提升40%，大幅提升功率密度；基於氮化鎵的低壓功率級可擴展以支持更高功率的GPU型號，其動態響 應得到提升，同時降低了電路板上的電容成本。

作為業內唯一的全棧氮化鎵供應商及領先的氮化鎵IDM企業，英諾賽科是唯一實現1200V至15V氮化鎵量產的公司，可提供從800V到1V的全鏈路解決方案。這使英諾賽科成為唯一有能力為所有轉換階段提供全GaN功率解決方案的供應商，從容應對未來架構為滿足更高功率需求的演變。