三星公佈下一代存儲器戰略：HBM5性能目標提升至HBM4E兩倍

金色財經報道，9月1日，據ETNews，三星電子計劃將下一代高帶寬存儲器(HBM)HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而後續一代產品zHBM的性能目標則達到HBM4E的8倍。三星將以3D結構創新爲核心，爭奪下一代存儲器市場的主導權。針對大語言模型(LLM)所需的大容量存儲器需求，三星還在推進zNAND-O的開發。zNAND-O的目標是在比特密度達到DRAM 10倍的同時，將讀取帶寬和能效分別提升至NAND的7倍。三星計劃於2028年開始zNAND-O的樣品供應。