三星正按英偉達要求開發 8 層 HBM4E 產品

金色財經報道，據《首爾經濟日報》報道，三星電子正按英偉達要求開發 8 層 HBM4E 產品，用於英偉達定製高帶寬存儲器 NVHBM。英偉達要求目標速度爲 17 至 18Gbps，較三星早期 HBM4E 樣品的 14.4Gbps 提高約 20%。8 層設計可降低堆疊難度並提升供應能力，NVHBM 可能從明年推出的 Rubin Ultra AI GPU 開始應用。Rubin Ultra 的 GPU 互連規模將由 72 顆增加至最多 576 顆。