美光科技(MU)涨超4% 投资2000亿美元加码内存制造与HBM研发

金吾财讯 | 美光科技(MU)涨超4%，截至发稿，报120.26美元。

消息面上，美光科技宣布，将在美国芯片制造和研发领域投资约2000亿美元，其中包括1500亿美元的内存制造和500亿美元的研发投资。这意味着，美光科技的投资规模比此前的计划增加了300亿美元。

据悉，美光科技将在爱达荷州建立第二家领先的内存制造工厂，对弗吉尼亚工厂进行现代化改造和扩建，并为美国带来端到端的高带宽内存（HBM）制造能力，以满足人工智能驱动的需求。