美股存储板块盘前走低,美光、闪迪、西部数据集体跌超2%,长鑫存储技术进展引发竞争担忧
10月12日美股存储板块盘前走弱,主要受中国长鑫存储推进4F² DRAM技术及G5平台量产、前期获利回吐与三星电子业绩不及预期影响。尽管AI数据中心需求仍处高位,但市场对产能与价格走势的担忧加剧,板块波动性显著上升。

TradingKey - 10月12日,美股存储板块盘前普遍走弱。中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)公布下一代DRAM技术研发进展后,市场重新关注全球存储行业竞争格局,同时此前大幅上涨的存储股继续出现获利回吐。
截至美东时间周一早盘前,美光科技(MU)、闪迪(SNDK)、西部数据(WDC)跌幅一度超2%,希捷科技(STX)跌幅超过1%。此前一周,存储板块已经明显回调,Roundhill Memory ETF周跌幅达到7.4%,创近三个月最差单周表现。

美光股价盘前走势,来源:FUTUBULL
本轮板块承压与CXMT最新技术进展有关。CXMT表示,公司正在推进下一代4F² DRAM存储单元架构,并计划在2026年底前推出基于相关技术的新一代DDR5服务器内存产品。相比目前主流6F²结构,4F²设计可进一步提高单位面积存储密度。公司第五代DRAM制造平台G5也已于9月进入量产阶段。
存储股近期波动明显加大。上周五,闪迪收跌1.72%,此前一个交易日曾大跌4.90%;西部数据则在经历前期下跌后收涨1.01%。与此同时,三星电子最新季度初步业绩低于市场预期,也一度拖累全球存储芯片板块表现。
不过,AI数据中心对DRAM、NAND及高容量硬盘的需求仍处于较高水平。当前市场关注点正从单纯的供需紧张进一步转向中国厂商扩产速度、先进DRAM技术进度以及存储价格能否维持高位。本周台积电和ASML财报也将提供新的AI基础设施需求信号,可能继续影响存储及半导体板块走势。
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