借HBM转型操纵DRAM价格？存储三巨头三星、海力士、美光在美遭反垄断集体诉讼
AI播客
存储芯片三巨头三星、SK海力士及美光正因涉嫌协同压缩传统DRAM产能、人为操纵价格遭到集体诉讼。原告指控三方借人工智能高带宽内存转型之名，大幅削减消费级内存供给，致使过去四年相关价格上涨约700%。由于三巨头垄断全球超90%份额且具备高毛利转型动力，即便诉讼指控其存在历史性垄断行为，短期内也难以改变供需失衡现状。市场预测内存价格高位将延续至2028年，下游企业面临的成本压力或将常态化。
存储三巨头遭反垄断诉讼
本次诉讼的核心论据直指三大存储巨头的产能分配策略，原告方代表近年来购买含传统DRAM产品的消费者及企业指控，三星、SK海力士与美光利用全球DRAM市场的寡头地位，以向HBM转型为借口，协同削减DDR3、DDR4等商用内存的产能，人为制造供给短缺。
诉状援引数据显示，2022年以来，三家公司将约25%的DRAM晶圆产能转向HBM芯片生产，而HBM芯片的物理面积是标准DDR芯片的两倍，这意味着每生产一颗HBM芯片就要消耗两倍的晶圆面积。
尽管全球DRAM晶圆总产能2026年预计增长14%，但分配给传统DRAM的产能仅增长10%，供需剪刀差直接导致消费级内存供应缺口持续扩大。
诉讼认为，三巨头本可以同步扩产传统DRAM来填补缺口，却选择将产能集中转向利润更高的HBM领域——HBM芯片的毛利率是传统DRAM的3-5倍。
这种选择性产能分配被指控为"协同减产"的新形式，最终导致DRAM价格在过去四年中累计上涨约700%。
苹果近期对iPad和Mac产品线的全面提价被援引为价格传导的典型案例，原告方认为这正是上游供给人为收缩带来的直接损害。
垄断前科：HBM转型只是“新包装”
2005年，三星就因1999-2002年间操纵DRAM价格，向美国司法部认罪并缴纳3亿美元罚款，这是当时美国反垄断史上第二大刑事罚金。
同年，SK海力士也认罪，被罚1.85亿美元，加上尔必达的罚款，整起案件总罚金达到7.31亿美元，多名涉案高管被判处监禁。
诉状明确援引这一历史记录，试图向法庭证明三家公司存在系统性、重复性串谋的行为模式。原告方认为，当年的价格操纵是通过协调产量和报价实现，如今只是换成了"HBM转型"的新包装，本质仍是利用寡头地位人为控制市场供给。
这一前科记录为当前指控提供了有力的参照依据，也令被告方的辩护面临更高的舆论与法律成本。
诉讼难改供需格局，内存“超级通胀”或成常态
无论诉讼走向如何，市场普遍认为内存价格高位在短期内均难以逆转。Jefferies最新预测显示，2026年第三季度内存价格将较上一季度再涨40%至50%，第四季度继续环比上行30%至40%，2027年全年价格同比仍将增长40%至45%，价格的实质性放缓最早要等到2028年。这意味着下游企业与终端消费者面临的成本压力将延续相当长时间。
从产业趋势看，HBM对传统DRAM产能的吞噬仍将持续，2026年HBM预计占全球DRAM晶圆产能的约25%，而AI服务器对HBM的需求正以每年约70%的速度增长。三星、SK海力士与美光在HBM领域同样占据垄断地位，三家合计占有全球HBM市场95%以上的份额，这让它们有能力继续主导产能分配节奏。
法律专家指出，此类反垄断诉讼通常耗时数年，即便最终认定价格操纵行为成立，也难以在短期内改变存储市场的供需格局。对消费者而言，可能需要做好长期接受内存高价的准备，而这场诉讼能否打破存储行业的寡头垄断，仍有待时间给出答案。
