Intel Foundry thắt chặt hợp tác với ASML nhằm thúc đẩy công nghệ High-NA EUV cho các chip AI lớn hơn

TradingKey - Mảng gia công chip của Intel (INTC) đang tiếp tục thắt chặt quan hệ hợp tác về High-NA EUV với ASML (ASML). ASML mới đây cho biết sẽ hợp tác với các nhà sản xuất chip lớn bao gồm Intel, Nvidia (NVDA), TSMC (TSM) và Samsung Electronics để phát triển các mặt nạ quang học lớn hơn, nhằm thúc đẩy thiết bị High-NA EUV thế hệ tiếp theo phục vụ sản xuất các dòng chip AI và trung tâm dữ liệu kích thước lớn.

Hiện tại, các thiết bị quang khắc EUV được sử dụng phổ biến của ASML có thể sản xuất các chip lớn với diện tích khoảng 800 milimét vuông, và các bộ xử lý trung tâm dữ liệu cao cấp từ những công ty như Nvidia đã tiến gần đến giới hạn kích thước này. Tuy nhiên, dù công nghệ High-NA EUV thế hệ mới có thể đạt được khả năng chế tạo chip tinh vi hơn, công nghệ này hiện vẫn bị hạn chế bởi kích thước mặt nạ quang học nhỏ hơn, khiến việc sản xuất trực tiếp các dòng chip có diện tích bề mặt tương đương với những chip AI kích thước lớn hiện nay gặp nhiều khó khăn.

Để giải quyết vấn đề này, ASML có kế hoạch phát triển công nghệ mặt nạ quang học lớn hơn, giúp công nghệ High-NA EUV có thể sản xuất các dòng chip trung tâm dữ liệu kích thước lớn trong tương lai. Giám đốc Công nghệ của ASML, ông Marco Pieters, cho biết nếu ngành công nghiệp hoàn tất thành công đợt nâng cấp công nghệ này, hiệu suất sản xuất của các hệ thống High-NA EUV dự kiến sẽ tăng khoảng 40%. Công ty dự kiến sẽ thử nghiệm một dây chuyền sản xuất mẫu vào khoảng năm 2031 và sẵn sàng đưa công nghệ này vào sản xuất quy mô lớn vào năm 2033.

Intel là một trong những nhà sản xuất chip có tiến độ ứng dụng High-NA EUV nhanh nhất và là đối tác quan trọng của ASML. Vào năm 2024, Intel đã trở thành đơn vị đầu tiên lắp đặt hệ thống High-NA EUV thương mại đầu tiên trên thế giới tại bang Oregon, Mỹ; đến tháng 7 năm nay, Intel Foundry tiếp tục ứng dụng công nghệ này để sản xuất một số bộ xử lý Panther Lake dựa trên tiến trình Intel 18A và đã bắt đầu giao các sản phẩm liên quan.

Tính đến nay, Intel đã xử lý tổng cộng hơn 1 triệu tấm wafer 300mm bằng công nghệ High-NA EUV, bao gồm các tấm wafer phục vụ kiểm chuẩn thiết bị, nghiên cứu & phát triển (R&D) và sản xuất thực tế. Hiện tại, công ty sẽ tiếp tục sử dụng các mặt nạ quang học kích thước tiêu chuẩn và tạo ra các dòng chip lớn hơn thông qua kỹ thuật ghép nối (stitching), đồng thời tích cực tham gia phát triển các giải pháp mặt nạ quang học kích thước lớn thế hệ tiếp theo.

ASML cho biết nếu công nghệ mặt nạ quang học kích thước lớn được triển khai thành công, bên cạnh việc mở rộng kích thước chip mà High-NA EUV có thể sản xuất, công nghệ này cũng dự kiến sẽ giúp tăng hiệu suất sản xuất của thiết bị thêm khoảng 40%. Công ty có kế hoạch thiết lập một dây chuyền sản xuất thử nghiệm vào khoảng năm 2031 và nỗ lực đạt trạng thái sẵn sàng sản xuất quy mô lớn vào năm 2033.