Cổ phiếu Samsung Electronics tăng 4% nhờ đẩy mạnh công nghệ bộ nhớ thế hệ mới

TradingKey - Samsung Electronics công bố công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo, thúc đẩy giá cổ phiếu phục hồi khoảng 4%.

Trong phiên giao dịch châu Á ngày 5/8, Samsung Electronics mở cửa ở mức cao hơn và tăng mạnh, có lúc tăng hơn 4% vượt ngưỡng 250.000 Won Hàn Quốc (khoảng 175,45 USD) và chạm mức cao nhất là 254.000 Won. Hiện tại, giá cổ phiếu Samsung Electronics đã hạ nhiệt nhẹ, giao dịch ở mức 248.500 Won.

Biểu đồ giá cổ phiếu Samsung Electronics, Nguồn: TradingView

Sự phục hồi của giá cổ phiếu Samsung Electronics hôm nay chủ yếu được thúc đẩy bởi các yếu tố tích cực, bao gồm hiệu ứng lan tỏa từ sự tăng vọt của các cổ phiếu bán dẫn Mỹ, việc ra mắt các thông số kỹ thuật công nghệ bộ nhớ mới (HBF/HBM4), và sức mạnh được duy trì liên tục của siêu chu kỳ nhờ nhu cầu AI. Tuy nhiên, một yếu tố quan trọng khác mà thị trường bỏ qua là việc Samsung Electronics giới thiệu các sản phẩm mới và mô hình khái niệm.

Hôm qua, Samsung Electronics đã công bố nguyên mẫu BV-NAND (V10 Bonding V-NAND) tại hội nghị Tương lai của Bộ nhớ và Lưu trữ (FMS) ở Santa Clara, California. So với thế hệ V9 NAND trước đó, sản phẩm này mang lại những lợi thế vượt trội, bao gồm mật độ lưu trữ tăng hơn 50%, cùng hiệu suất đọc/ghi và đầu vào/đầu ra được nâng cao.

Ngoài ra, Samsung đã trình diễn các mô hình khái niệm kiến trúc zHBM và zNAND-O đầu tiên trong ngành. Theo Samsung, công nghệ liên kết tấm bán dẫn (wafer bonding) này dự kiến sẽ đạt mật độ lưu trữ gấp hơn 10 lần so với bộ nhớ HBM5 thông thường, đồng thời tăng gấp ba lần hiệu quả năng lượng và giảm hơn một nửa nhiệt trở.