Dự báo giá cổ phiếu SanDisk: Các nhà sản xuất Trung Quốc có thể nhanh chóng phá vỡ rào cản ngành DRAM và NAND; cổ phiếu sẽ giảm xuống dưới 1.100 USD?

TradingKey - Vào ngày 27/7 (giờ Mỹ), SanDisk ( SNDK) đã lao dốc hơn 14% trong phiên xuống mức thấp nhất là 1.226,9 USD, đánh dấu mức thấp nhất kể từ đầu tháng 5. Theo báo cáo, nhà sản xuất chip nhớ Trung Quốc ChangXin Storage đã chính thức lên sàn hôm nay, hoàn tất đợt phát hành cổ phiếu lần đầu ra công chúng (IPO) trị giá 8,6 tỷ USD. Cổ phiếu này đã tăng vọt 466% trong ngày giao dịch đầu tiên, phản ánh niềm tin của thị trường vào thị phần ngày càng tăng của Trung Quốc trong lĩnh vực chip nhớ.

Các nhà phân tích tại Counterpoint Research cho biết thị trường DRAM và NAND thương mại, vốn có mức độ tiêu chuẩn hóa cao hơn, có thể bị ảnh hưởng bởi các nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc, đồng thời bối cảnh cạnh tranh và logic đầu tư của ngành đang trải qua những thay đổi mang tính cấu trúc. Trong khi đó, bộ nhớ băng thông cao (HBM), với rào cản kỹ thuật cực kỳ cao, sẽ tiếp tục bị độc quyền trong vài năm tới bởi Micron ( MU ), Samsung và SK Hynix ( SKHY ).

Là chip hỗ trợ cốt lõi cho năng lượng tính toán AI, rào cản công nghệ của HBM vượt xa so với các sản phẩm bộ nhớ thương mại thông thường. Counterpoint cho biết các nhà sản xuất Trung Quốc sẽ không thể đạt được quy mô sản xuất lớn HBM3 sớm nhất là cho đến nửa đầu năm 2027. Đến lúc đó, ba ông lớn nước ngoài sẽ bước vào giai đoạn sản xuất quy mô lớn HBM4, với lộ trình công nghệ được nâng cấp lên thế hệ tiếp theo, tiếp tục duy trì khoảng cách công nghệ khoảng một thế hệ giữa hai bên.

Tuy nhiên, các rào cản ngành đối với DRAM và NAND thương mại có thể nhanh chóng bị các nhà sản xuất Trung Quốc phá vỡ. Những sản phẩm này có tính tiêu chuẩn hóa cao và các quyết định của khách hàng rất nhạy cảm với giá cả, trong đó rào cản cốt lõi nằm ở mức vốn đầu tư hơn là công nghệ độc quyền. Western Digital ( WDC) và SanDisk có lợi thế cạnh tranh tương đối yếu trong lĩnh vực này và sẽ hứng chịu tác động trực tiếp cũng như nặng nề nhất từ các nhà sản xuất Trung Quốc.

Theo báo cáo, giá bộ nhớ nhìn chung đã tăng vọt gần gấp bốn lần trong năm qua, với hầu hết mức tăng tập trung vào sáu tháng qua. Tuy nhiên, nút thắt cốt lõi thúc đẩy việc tăng giá không phải là HBM dành cho trung tâm dữ liệu như thị trường thường nghĩ, mà là các danh mục thiết bị của người dùng cuối như điện thoại thông minh, PC và điện tử tiêu dùng, trong đó khoảng cách cung - cầu của DRAM là đặc biệt nổi bật. Thị trường bộ nhớ thương mại cấp tiêu dùng này, vốn có mức tăng giá cao nhất và mang lại biên lợi nhuận béo bở nhất, chính là thị trường mục tiêu cốt lõi cho việc giải phóng công suất của các nhà sản xuất Trung Quốc. Tiềm năng lợi nhuận dồi dào mang lại một cơ hội gia nhập tuyệt vời cho những người đi sau này.

Biểu đồ cổ phiếu 2 giờ của SanDisk, Nguồn: TradingView

Theo biểu đồ cổ phiếu của SanDisk, giá đã lao dốc hơn 14% trong phiên để chạm mức thấp định kỳ mới vào ngày hôm nay, phá vỡ mức hỗ trợ đầu tiên là 1.325 USD và xác nhận sự đảo chiều từ mức cao sang xu hướng giảm.

Hiện tại, cần chú ý sát sao đến mức mở rộng Fibonacci 1,272 (1.224 USD) và mức tâm lý quan trọng 1.200 USD. Việc phá vỡ xuống dưới các mức này có thể kích hoạt làn sóng bán kỹ thuật kết hợp với lệnh cắt lỗ, mở ra thêm không gian giảm giá hướng tới mức mở rộng Fibonacci 1,618 (1.095 USD).

Một đợt sụt giảm mạnh thường được theo sau bởi một đợt phục hồi, với mục tiêu đầu tiên là lấy lại mức thấp định kỳ (1.325 USD). Tuy nhiên, mức giá này đã bị phá vỡ một cách rõ rệt và hiện đã chuyển thành mức kháng cự. Hơn nữa, xu hướng giảm thường không kết thúc trong một ngày duy nhất; ngay cả khi thị trường cần một đợt phục hồi kỹ thuật, biên độ tăng của nó cũng sẽ rất hạn chế.

Do đó, ngay cả khi xảy ra một đợt phục hồi, nhiều khả năng đó chỉ là sự tiếp diễn của xu hướng giảm. Khuyến nghị nên chờ đợi các tín hiệu tạo đáy rõ ràng (chẳng hạn như khối lượng giao dịch thu hẹp cực độ + bóng nến dưới dài + ổn định tại các mức giá tròn số quan trọng).