Samsung là đơn vị đầu tiên cung cấp các mẫu HBM4E, tăng tốc bám đuổi SK Hynix trên thị trường bộ nhớ AI

TradingKey - Trong phiên giao dịch tại châu Á ngày 29/5, Samsung Electronics thông báo đã bắt đầu cung cấp các mẫu HBM4E 12 lớp đầu tiên trong ngành cho khách hàng toàn cầu. Thông tin này đã đẩy cổ phiếu của công ty tăng gần 6% trong phiên, khi kỳ vọng của thị trường tăng cao về việc hãng sẽ thu hẹp khoảng cách với SK Hynix trong thị trường bộ nhớ AI.

Tính đến 11:33 sáng giờ Seoul, giá cổ phiếu Samsung Electronics tăng 4,01% lên 311.500 won, xác lập kỷ lục cao mới. Chỉ số giá cổ phiếu tổng hợp Hàn Quốc (KOSPI) tăng khoảng 2,3% trong cùng kỳ.

[Nguồn: TradingView]

Samsung cho biết các mẫu HBM4E (High Bandwidth Memory) sở hữu cấu trúc 12 lớp với dung lượng 48 gigabyte (GB) và tốc độ chân cắm lên tới 16 gigabit/giây (Gbps) — cải tiến hơn 20% so với HBM4 sản xuất hàng loạt — cùng băng thông bộ nhớ đạt 3,6 terabyte/giây (TB/s) trên mỗi lớp. Công ty cũng dự kiến ra mắt các phiên bản 32GB (8 lớp) và 64GB (16 lớp).

"Sau khi sản xuất hàng loạt thành công HBM4, Samsung một lần nữa chứng minh lợi thế kỹ thuật độc bản của mình với HBM4E", ông Sang-Joon Hwang, Phó Chủ tịch điều hành kiêm Trưởng bộ phận Sản phẩm & Công nghệ Bộ nhớ tại Samsung Electronics, cho biết trong một tuyên bố.

Trong kỷ nguyên HBM3E, SK Hynix đã thống trị thị trường nhờ lợi thế của người đi đầu, trong khi Samsung tụt hậu do những sai lầm chiến lược trong lộ trình kỹ thuật và hiệu suất sản xuất thấp. Phải đến tháng 9/2025, các sản phẩm HBM3E 12 lớp của Samsung mới vượt qua các bài kiểm tra của NVIDIA, cho phép hãng bắt đầu đuổi kịp các đối thủ.

Tuy nhiên, sau khi dẫn đầu trong việc sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, Samsung hiện đã chủ động cung cấp các mẫu HBM4E, vượt mặt thành công SK Hynix và phá vỡ lợi thế đi đầu lâu nay của hãng này. Theo phân tích của ngành, SK Hynix dự kiến sẽ cung cấp các mẫu HBM4E vào nửa cuối năm 2026, với kế hoạch sản xuất hàng loạt vào năm 2027.

Các nhà phân tích chỉ ra rằng điều này sẽ tạo áp lực đáng kể lên Micron và SK Hynix về mặt thời gian, vì cả hai công ty dự kiến phải đến năm 2027 mới bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt HBM4E. Điều này cho thấy sự dẫn đầu của Samsung có thể đánh dấu sự khởi đầu của một sự thay đổi lớn trong cục diện ngành công nghiệp bộ nhớ.

Vào ngày 28/5, KB Securities đã nâng đáng kể mức giá mục tiêu cho Samsung Electronics từ 450.000 won lên 530.000 won, lưu ý rằng nền tảng AI Vera Rubin sắp tới của NVIDIA sẽ tăng tỷ trọng chi phí bộ nhớ lên 25%. Samsung, với vị thế trong các giải pháp bộ nhớ thế hệ tiếp theo, được kỳ vọng sẽ là đối tượng hưởng lợi chính.

Từ vị thế là người đến sau trong kỷ nguyên HBM3E đến việc dẫn đầu sản xuất hàng loạt HBM4 và hiện là đơn vị đầu tiên cung cấp mẫu HBM4E, Samsung đã cho thấy những cải thiện đáng kể trong tích hợp kỹ thuật và năng lực sản xuất. Tuy nhiên, tệp khách hàng và dự trữ sản xuất của SK Hynix vẫn rất vững chắc. Việc Samsung có thể chuyển đổi lợi thế đi đầu thành thị phần bền vững hay không sẽ phụ thuộc vào hiệu suất sản xuất HBM4E và tiến độ tích hợp vào nền tảng Vera Rubin của NVIDIA vào cuối năm. Mức tăng giá cổ phiếu trong ngắn hạn đã phản ánh một phần kỳ vọng lạc quan; những diễn biến trong tương lai sẽ phụ thuộc vào kết quả xác minh mẫu thử.

Sự khởi sắc của nhóm cổ phiếu bán dẫn Mỹ trong đêm và rủi ro địa chính trị tại Trung Đông tạm thời hạ nhiệt cũng thúc đẩy tâm lý chung trên thị trường chứng khoán Hàn Quốc. Chỉ số Nasdaq Composite đóng cửa tăng 0,91% vào thứ Năm, AMD và ARM lần lượt tăng 4,55% và 10,76%.