îāđāļāļīāđāļĄāļĨāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāļēāļĢāļāļīāļāļāļēāļĄ
āļāļīāļ 09-11 16:00ïžETïž
29.64BāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĨāļēāļ
55.85P/E TTM
āļŦāļĨāļąāļāļāļĨāļēāļāļāļīāļ 19:58 (ET)76.280USD+0.150+0.20%ON āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ
āļāļļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĢāļ§āļāļŠāļāļāļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļĢāļēāļĒāļāļĩāļŦāļĢāļ·āļāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļāļāļ ON Semiconductor Corp āđāļāđāļāļĩāđāļāļĩāđ āđāļāļ·āđāļāļāļģāļāļ§āļēāļĄāđāļāđāļēāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāļīāļāļĨāļķāļāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāļąāļāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļāļĨāļāļāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ ON Semiconductor Corp
āļāļģāļāļēāļĄāļāļĩāđāļāļāļāđāļāļĒ
āļāļąāļāļāļ°āļāđāļēāļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ TradingKey āđāļāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îāđāļĢāļīāđāļĄāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļĢāļ§āļĄ āļāļēāļāļāļąāđāļāļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļāđāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđ āļāļģāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļ āļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ āļāļģāđāļĢāļāđāļāļāļ āļēāļĐāļĩ āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī āđāļĨāļ° EPS āļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļāļēāļāļāļļāļĢāļāļīāļ āļŠāđāļ§āļāļĄāļēāļĢāđāļāļīāđāļāđāļĨāļ°āļāļĨāļāļģāđāļĢāđāļāđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāļāļēāļĢāļāļ°āđāļŠāļāļāđāļŦāđāđāļŦāđāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāđāļāđāļāļāļģāđāļĢāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļāļĩāļĒāļāđāļ
āļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāļāļĩāđāļāļāļāđāļēāļāļāļąāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļŠāļāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāđāļāļĢāļāļāļĢāļ°āļĒāļ°āđāļ§āļĨāļēāļāļąāļāļāļĩ 3 āđāļāļ·āļāļ āļŠāđāļ§āļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāļāļĩāļāļ°āļŠāļĢāļļāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĨāļāļāļāļąāđāļāļāļĩāļāļąāļāļāļĩ āļāđāļāļĄāļđāļĨāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļīāļāļāļēāļĄāđāļĄāđāļĄāļāļāļąāļĄāļĨāđāļēāļŠāļļāļāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļąāļĒāļāļēāļĄāļĪāļāļđāļāļēāļĨ āļāļāļ°āļāļĩāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāļĢāļēāļĒāļāļĩāđāļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ°āļĒāļēāļ§ āļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļģāđāļĢ āđāļĨāļ°āļ§āļąāļāļāļąāļāļĢāļāļļāļĢāļāļīāļ
YOY āđāļāļŦāļāđāļēāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļŦāļĄāļēāļĒāļāļķāļāļāļ°āđāļĢ
îYOY āļŦāļĄāļēāļĒāļāļķāļāļāļēāļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāđāļ§āļāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāļāļāļāļĩāļāđāļāļ āđāļāļĒāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļąāļāļāđāļ§āļāđāļ§āļĨāļēāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāđāļāļāļĩāļāđāļāļāļŦāļāđāļē āđāļāđāļ āļĢāļēāļĒāđāļāđāļāļāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļāļĩāđāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāļāļāļāļĩāļāļĩāđāđāļĨāđāļ§ āļāļēāļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāđāļāļ YOY āļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļĄāļāļāđāļŦāđāļāđāļāļ§āđāļāđāļĄāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļ āļāļĢāđāļāļĄāļĨāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāļāļēāļĄāļĪāļāļđāļāļēāļĨāļāļēāļĄāļāļāļāļī
āļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāđāļāđāļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļāļĩāđāļŠāļģāļāļąāļāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļĄāļ·āđāļāļāđāļāļāļ§āļīāđāļāļĢāļēāļ°āļŦāđāļŦāļļāđāļ ON
îāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļŠāļģāļāļąāļ āđāļāđāđāļāđ āļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļāļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđ, āļāļģāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļ, āļāļąāļāļĢāļēāļāļģāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļ, āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ, āļāļąāļāļĢāļēāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ, āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī, EPS, āļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļāļāļēāļĢāļ§āļīāļāļąāļĒāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļē (R&D), āļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāļāļēāļĢāļāļēāļĒ āļāļąāđāļ§āđāļ āđāļĨāļ°āļāļĢāļīāļŦāļēāļĢ (SG&A) āļĢāļ§āļĄāļāļķāļāļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāļ āļēāļĐāļĩ āđāļāļĒāļāļąāđāļ§āđāļ āļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļ°āļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāđāļŦāļĨāđāļēāļāļĩāđāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļāļģāļĨāļąāļāđāļāļīāļāđāļ āļāļ§āļāļāļļāļĄāļāđāļāļāļļāļ āđāļĨāļ°āđāļāļīāđāļĄāļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļģāđāļĢāđāļāđāļŦāļĢāļ·āļāđāļĄāđ
āļĢāļēāļĒāđāļāđāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļ āļŠāļīāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îON Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļĩāđ 6.00B āļāļķāđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļāļāļēāļ 7.08B āđāļāļāļĩāļāđāļāļāļŦāļāđāļē
ON Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāđāļāđāļēāđāļ
îON Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāļāļĩāđ 1.60B āļāļķāđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļ 9.18% āđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāđāļ§āļāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāļāļāļāļĩāļāđāļāļ
āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļāļĢāļ°āļāļģāļāļĩāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îON Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļĩāđ 121.00M
ON Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāđāļāđāļēāđāļ
îON Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāļāļĩāđ 226.80M
āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĢāļ°āļāļģāļāļĩāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 751.10M
EPS āđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāđāļāļāļāļąāļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îEPS āļŦāļĢāļ·āļāļāļģāđāļĢāļāđāļāļŦāļļāđāļ āļāļģāļāļ§āļāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļŦāļēāļĢāļāđāļ§āļĒāļāļģāļāļ§āļāļŦāļļāđāļāļāļĩāđāļāļāļāđāļĨāļ°āļāļģāļĢāļ°āđāļĨāđāļ§ āļāļąāļ§āđāļĨāļāļāļĩāđāļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāđāļāđāļēāđāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļģāđāļĢāđāļāđāđāļāđāļēāđāļāļāđāļāļŦāļļāđāļ āđāļāđāļāļ§āļĢāļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāļāļāļāļāļģāļāļ§āļāļŦāļļāđāļ āļĄāļēāļĢāđāļāļīāđāļ āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļ āđāļĨāļ°āļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļĄāļđāļĨāļāđāļē