îāđāļāļīāđāļĄāļĨāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāļēāļĢāļāļīāļāļāļēāļĄ
āļāļīāļ 10-27 16:00ïžETïž
29.44BāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĨāļēāļ
55.45P/E TTM
āļŦāļĨāļąāļāļāļĨāļēāļāļāļīāļ 18:50 (ET)74.100USD-1.450-1.92%āļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļāļāļ ON
āļāļđāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāđāļēāļāđāļāļāļāļāļĢāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāļāļāļĢāļāļ§āļāļāļĢāļāļĩāđāļāļāļāđāļāļāļĄāļēāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļĩāđāļāļĨāļēāļāđāļāļāļāļāļĢāđāļāļāļĩāđāļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļ§āļīāđāļāļĢāļēāļ°āļŦāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāđāđāļāļĒāļāļēāļĢāļāļąāļāļĢāļ°āđāļāļĩāļĒāļāļāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļĩāđāļāļąāļāļāđāļāļāđāļŦāđāļāļĒāļđāđāđāļāļĄāļļāļĄāļĄāļāļāļāļĩāđāļāļĢāļąāļāđāļāđāļāđāļāđ āđāļāđāļēāļāļķāļāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļĢāļ°āļāļģāļāļĩāļĨāđāļēāļŠāļļāļ āļŦāļĢāļ·āļāđāļāđāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļēāļĄāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļāļĒāđāļāđāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļ āļāļāļāļļāļĨ āđāļĨāļ°āļāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļ āļāđāļ§āļĒāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļāđāļĢāļĩāļĒāļĨāđāļāļĄāđāļāļĒāļđāđāļāļĩāđāļāļĨāļēāļĒāļāļīāđāļ§āļāļāļāļāļļāļāļāļēāļĢāļāļīāļāļāļēāļĄāļŠāļāļēāļāļ°āļāļĨāļēāļāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ°āļĒāļēāļ§āļāļķāļāđāļĄāđāđāļāļĒāļāđāļēāļĒāļĄāļēāļāđāļāļ.
āļāļąāļāļĢāļēāļŠāđāļ§āļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļĩāđāļŠāļģāļāļąāļ
āļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĨāļēāļ
29.44B
āđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ TTM
0.00
āļāđāļēāđāļĢāļāđāļāļŦāļļāđāļāļĒāđāļāļāļŦāļĨāļąāļāļŠāļīāļāļŠāļāļāđāļāļ·āļāļ
1.36
āļāđāļēāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī
1.57B
āļāđāļāļĄāļđāļĨāļŠāļģāļāļąāļāļāļēāļāļāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļ
āļāļģāļāļēāļĄāļāļĩāđāļāļāļāđāļāļĒ
āļĢāļēāļĒāđāļāđāļĢāļ§āļĄāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĄāļĩāļĢāļēāļĒāđāļāđāļĢāļ§āļĄāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 6.00B āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 7.08B
āļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđāļŦāļĄāļļāļāđāļ§āļĩāļĒāļāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĄāļĩāļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđāļŦāļĄāļļāļāđāļ§āļĩāļĒāļāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 5.82B āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -13.76
āļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđāļĢāļ§āļĄāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđāļĢāļ§āļĄāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 12.52B āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -11.11
āļŦāļāļĩāđāļŠāļīāļāļĢāļ§āļĄāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļŦāļāļĩāđāļŠāļīāļāļĢāļ§āļĄāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 4.83B āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -8.40
āļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđāļŠāļļāļāļāļīāļĢāļ§āļĄāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđāļŠāļļāļāļāļīāļĢāļ§āļĄāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 7.69B āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -12.74
āļĢāļēāļĒāđāļāđāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļŠāļļāļāļāļīāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļļāļāļāļīāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 751.10M āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -60.50
āļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļāļŠāļļāļāļāļīāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļāļŠāļļāļāļāļīāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -538.50M āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 46.67
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļāļļāļāļŠāļļāļāļāļīāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļēāļĢāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļļāļāļŠāļļāļāļāļīāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -1.76B āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -157.94
āļāđāļēāđāļĢāļāđāļāļŦāļļāđāļ (EPS) āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĄāļĩāļāđāļēāđāļĢāļāđāļāļŦāļļāđāļ (EPS) āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 0.29 āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -92.00
āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĄāļĩāļāđāļēāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 121.00M āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -92.31
āļĄāļēāļĢāđāļāļīāđāļāļŠāļļāļāļāļīāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļąāļāļĢāļēāļāđāļēāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 2.06 āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -90.73
āļāļąāļāļĢāļēāļāđāļēāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĄāļĩāļāļąāļāļĢāļēāļāđāļēāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 32.35 āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -27.59
āļāļąāļāļĢāļēāļŠāđāļ§āļāļŦāļāļĩāđāļŠāļīāļāļāđāļāļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĄāļĩāļāļąāļāļĢāļēāļŠāđāļ§āļāļŦāļāļĩāđāļŠāļīāļāļāđāļāļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 23.99 āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 0.40
āļāļąāļāļĢāļēāļāļĨāļāļāļāđāļāļāļāļēāļāļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđāļŠāļļāļāļāļī (ROE) āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĄāļĩāļāļĨāļāļāļāđāļāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļļāļāļŠāļļāļāļāļī (ROE) āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 1.47 āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -92.26
āļāļąāļāļĢāļēāļāļĨāļāļāļāđāļāļāļāļēāļāļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđ (ROA) āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĄāļĩāļāļĨāļāļāļāđāļāļāļāđāļāļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđ (ROA) āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 0.93 āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -91.95
āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļ·āļāđāļāđāļēāđāļŦāļĢāđ?
îāļāļēāļĄāļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āļāļģ FY2025 āļāļāļ ON Semiconductor Corp āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĄāļĩāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 751.10M āļāļīāļāđāļāđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļāļĩāļāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -60.50