110.710USD+110.710āļŦāļĨāļąāļāļāļĨāļēāļāļāļīāļ 07/31, 20:00 (ET)
17.04BāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĨāļēāļ
855.94P/E TTM
Lattice Semiconductor Corp
LSCC āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ
āļāļļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĢāļ§āļāļŠāļāļāļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļĢāļēāļĒāļāļĩāļŦāļĢāļ·āļāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āđāļāđāļāļĩāđāļāļĩāđ āđāļāļ·āđāļāļāļģāļāļ§āļēāļĄāđāļāđāļēāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāļīāļāļĨāļķāļāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāļąāļāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļāļĨāļāļāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp
āļāļģāļāļēāļĄāļāļĩāđāļāļāļāđāļāļĒ
āļāļąāļāļāļ°āļāđāļēāļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āļāļ TradingKey āđāļāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îāđāļĢāļīāđāļĄāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļĢāļ§āļĄ āļāļēāļāļāļąāđāļāļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļāđāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđ āļāļģāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļ āļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ āļāļģāđāļĢāļāđāļāļāļ āļēāļĐāļĩ āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī āđāļĨāļ° EPS āļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļāļēāļāļāļļāļĢāļāļīāļ āļŠāđāļ§āļāļĄāļēāļĢāđāļāļīāđāļāđāļĨāļ°āļāļĨāļāļģāđāļĢāđāļāđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāļāļēāļĢāļāļ°āđāļŠāļāļāđāļŦāđāđāļŦāđāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāđāļāđāļāļāļģāđāļĢāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļāļĩāļĒāļāđāļ
āļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāļāļĩāđāļāļāļāđāļēāļāļāļąāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļŠāļāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāđāļāļĢāļāļāļĢāļ°āļĒāļ°āđāļ§āļĨāļēāļāļąāļāļāļĩ 3 āđāļāļ·āļāļ āļŠāđāļ§āļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāļāļĩāļāļ°āļŠāļĢāļļāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĨāļāļāļāļąāđāļāļāļĩāļāļąāļāļāļĩ āļāđāļāļĄāļđāļĨāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļīāļāļāļēāļĄāđāļĄāđāļĄāļāļāļąāļĄāļĨāđāļēāļŠāļļāļāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļąāļĒāļāļēāļĄāļĪāļāļđāļāļēāļĨ āļāļāļ°āļāļĩāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāļĢāļēāļĒāļāļĩāđāļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ°āļĒāļēāļ§ āļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļģāđāļĢ āđāļĨāļ°āļ§āļąāļāļāļąāļāļĢāļāļļāļĢāļāļīāļ
YOY āđāļāļŦāļāđāļēāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļŦāļĄāļēāļĒāļāļķāļāļāļ°āđāļĢ
îYOY āļŦāļĄāļēāļĒāļāļķāļāļāļēāļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāđāļ§āļāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāļāļāļāļĩāļāđāļāļ āđāļāļĒāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļąāļāļāđāļ§āļāđāļ§āļĨāļēāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāđāļāļāļĩāļāđāļāļāļŦāļāđāļē āđāļāđāļ āļĢāļēāļĒāđāļāđāļāļāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļāļĩāđāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāļāļāļāļĩāļāļĩāđāđāļĨāđāļ§ āļāļēāļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāđāļāļ YOY āļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļĄāļāļāđāļŦāđāļāđāļāļ§āđāļāđāļĄāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļ āļāļĢāđāļāļĄāļĨāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāļāļēāļĄāļĪāļāļđāļāļēāļĨāļāļēāļĄāļāļāļāļī
āļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāđāļāđāļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļāļĩāđāļŠāļģāļāļąāļāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļĄāļ·āđāļāļāđāļāļāļ§āļīāđāļāļĢāļēāļ°āļŦāđāļŦāļļāđāļ LSCC
îāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļŠāļģāļāļąāļ āđāļāđāđāļāđ āļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļāļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđ, āļāļģāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļ, āļāļąāļāļĢāļēāļāļģāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļ, āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ, āļāļąāļāļĢāļēāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ, āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī, EPS, āļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļāļāļēāļĢāļ§āļīāļāļąāļĒāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļē (R&D), āļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāļāļēāļĢāļāļēāļĒ āļāļąāđāļ§āđāļ āđāļĨāļ°āļāļĢāļīāļŦāļēāļĢ (SG&A) āļĢāļ§āļĄāļāļķāļāļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāļ āļēāļĐāļĩ āđāļāļĒāļāļąāđāļ§āđāļ āļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļ°āļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāđāļŦāļĨāđāļēāļāļĩāđāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļāļģāļĨāļąāļāđāļāļīāļāđāļ āļāļ§āļāļāļļāļĄāļāđāļāļāļļāļ āđāļĨāļ°āđāļāļīāđāļĄāļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļģāđāļĢāđāļāđāļŦāļĢāļ·āļāđāļĄāđ
āļĢāļēāļĒāđāļāđāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āļ āļŠāļīāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îLattice Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļĩāđ 523.26M āļāļķāđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļāļāļēāļ 509.40M āđāļāļāļĩāļāđāļāļāļŦāļāđāļē
Lattice Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāđāļāđāļēāđāļ
îLattice Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāļāļĩāđ 170.90M āļāļķāđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļ 42.24% āđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāđāļ§āļāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāļāļāļāļĩāļāđāļāļ
āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļāļĢāļ°āļāļģāļāļĩāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îLattice Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļĩāđ 3.08M
Lattice Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāđāļāđāļēāđāļ
îLattice Semiconductor Corp āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāļāļĩāđ 21.82M
āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĢāļ°āļāļģāļāļĩāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 25.27M
EPS āđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāđāļāļāļāļąāļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îEPS āļŦāļĢāļ·āļāļāļģāđāļĢāļāđāļāļŦāļļāđāļ āļāļģāļāļ§āļāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļŦāļēāļĢāļāđāļ§āļĒāļāļģāļāļ§āļāļŦāļļāđāļāļāļĩāđāļāļāļāđāļĨāļ°āļāļģāļĢāļ°āđāļĨāđāļ§ āļāļąāļ§āđāļĨāļāļāļĩāđāļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāđāļāđāļēāđāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļģāđāļĢāđāļāđāđāļāđāļēāđāļāļāđāļāļŦāļļāđāļ āđāļāđāļāļ§āļĢāļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāļāļāļāļāļģāļāļ§āļāļŦāļļāđāļ āļĄāļēāļĢāđāļāļīāđāļ āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļ āđāļĨāļ°āļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļĄāļđāļĨāļāđāļē