110.710USD+110.710āļŦāļĨāļąāļāļāļĨāļēāļāļāļīāļ 07/31, 20:00 (ET)
17.04BāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĨāļēāļ
855.94P/E TTM
Lattice Semiconductor Corp
LSCC āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļ
āļāļļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāđāļēāļāļķāļāļāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļĢāļēāļĒāļāļĩāđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āđāļāđ āđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļ§āļēāļĄāļĄāļąāđāļāļāļāđāļĨāļ°āđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāļ āļēāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļ
āļāļģāļāļēāļĄāļāļĩāđāļāļāļāđāļāļĒ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļ·āļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāļīāļāļāļķāđāļāļŦāļĢāļ·āļāļāļđāļāđāļāđāđāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļēāļāļāļļāļĢāļāļīāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ āđāļāļĒāļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļĢāļąāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļāđāļ§āļĒāļĢāļēāļĒāļāļēāļĢāļāļĩāđāđāļĄāđāđāļāđāđāļāļīāļāļŠāļāđāļĨāļ°āļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāļāļāļāđāļāļīāļāļāļļāļāļŦāļĄāļļāļāđāļ§āļĩāļĒāļ āđāļāđāļ āļāđāļēāđāļŠāļ·āđāļāļĄāļĢāļēāļāļē āļĨāļđāļāļŦāļāļĩāđ āļŠāļīāļāļāđāļēāļāļāđāļŦāļĨāļ·āļ āđāļĨāļ°āđāļāđāļēāļŦāļāļĩāđ āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĩāđāđāļāđāļāđāļāļĢāđāļāļāļēāļāļāđāļāļāļĩāđāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāļĒāļāļāļāļēāļĒāđāļĨāļ°āļāļĨāļāļģāđāļĢāđāļŦāđāđāļāđāļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĢāļīāļāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļ
Lattice Semiconductor Corp āļŠāļĢāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāđāļāđāđāļāđāļēāđāļ
îLattice Semiconductor Corp āļŠāļĢāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļģāļāļ§āļ 175.11M āđāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļķāđāļāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļķāļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļēāļāļāļļāļĢāļāļīāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢāđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļĢāļēāļĒāļāļĩ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļ 24.30% āđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāļĩāļāđāļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļĨāļāļāļļāļāļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļĨāļāļāļļāļāđāļŠāļāļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāđāđāļāļŦāļĢāļ·āļāđāļāđāļĢāļąāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļĩāđāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāđāļāļāļāļąāļāļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļ āđāļāđāļ āļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļ āļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļĢāļ·āļāļāļēāļĒāđāļāļīāļāļĨāļāļāļļāļ āļāļēāļĢāđāļāđāļēāļāļ·āđāļāļāļīāļāļāļēāļĢ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļģāļŦāļāđāļēāļĒāļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđ āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļĨāļāļāļļāļāļāļĩāđāļāļīāļāļĨāļāđāļĄāđāđāļāđāđāļāđāļāļŠāļąāļāļāļēāļāļāļĩāđāđāļĄāđāļāļĩāđāļŠāļĄāļāđāļ āđāļāļĢāļēāļ°āļāļēāļāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļķāļāļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļāđāļāļ·āđāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāđāļāļāļāļēāļāļ āļāļĒāđāļēāļāđāļĢāļāđāļāļēāļĄ āļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļ§āļĢāļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļ§āđāļēāļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļāļāļąāļāļāļĨāđāļēāļ§āļāļ°āļāđāļ§āļĒāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĨāļāļāļāđāļāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ°āļĒāļēāļ§āđāļāđāļŦāļĢāļ·āļāđāļĄāđ
Lattice Semiconductor Corp āđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļāđāļāđāļēāđāļ
îLattice Semiconductor Corp āđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļāļāļģāļāļ§āļ 62.31M āđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāđāļŠāļāļāđāļŦāđāđāļŦāđāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĢāļ°āļāļĄāļāļļāļāļŦāļĢāļ·āļāļāļ·āļāđāļāļīāļāļāļļāļāđāļŦāđāđāļāđāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāđāļĨāļ°āđāļāđāļēāļŦāļāļĩāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ āļāļķāđāļāļāļēāļāļĢāļ§āļĄāļāļķāļāļāļēāļĢāļāļāļāļāļĢāļēāļŠāļēāļĢāļŦāļāļĩāđ āļāļēāļĢāļāļģāļĢāļ°āļŦāļāļĩāđ āļāļēāļĢāļāļāļāļŦāļļāđāļ āļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļļāđāļāļāļ·āļ āļāļēāļĢāļāđāļēāļĒāđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļļāļāļāđāļēāļāļŠāļąāļāļāļēāđāļāđāļē āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļāļ§āļāļāļēāļāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļķāļāļāļēāļĢāļĢāļ°āļāļĄāļāļļāļāđāļŦāļĄāđ āļŠāđāļ§āļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļĨāļāļāļēāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāļĢāļ°āļŦāļāļĩāđ āļāļēāļĢāļāđāļēāļĒāđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ āļŦāļĢāļ·āļāļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļļāđāļāļāļ·āļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îLattice Semiconductor Corp āđāļāđāđāļāļīāļāļŠāļāļāļģāļāļ§āļ -115.70M āđāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ āđāļĨāļ°āđāļŦāļāļļāđāļāļāļķāļāļŠāļģāļāļąāļāļāđāļ LSCC
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļ·āļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāļāļĢāļīāļĐāļąāļāđāļŦāļĨāļ·āļāļāļĒāļđāđāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļāļāļĩāđāļāļģāđāļāđāļāļāđāļāļāļēāļĢāļĢāļąāļāļĐāļēāļŦāļĢāļ·āļāļāļĒāļēāļĒāļāļļāļĢāļāļīāļāđāļĨāđāļ§ āđāļāļĒāļĄāļąāļāđāļāđāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļ§āļēāļĄāļĒāļ·āļāļŦāļĒāļļāđāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļ āļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāļāļģāļĢāļ°āļŦāļāļĩāđ āļāļ§āļēāļĄāļĒāļąāđāļāļĒāļ·āļāļāļāļāđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ āļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāđāļāļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļļāđāļāļāļ·āļ āđāļĨāļ°āļāļļāļāļ āļēāļāļāļāļāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļ āļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļ§āļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļąāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī āļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļāļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđ āđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļāļ Lattice Semiconductor Corp āđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 112.80M āļāļķāđāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļ 9.32% āđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāļĩāļāđāļāļ