USD0.000āļŦāļĨāļąāļāļāļĨāļēāļāļāļīāļ  (ET)
169.19MāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĨāļēāļ
āļāļēāļāļāļļāļP/E TTM
GCT Semiconductor Holding Inc
GCTS āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļ
āļāļļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāđāļēāļāļķāļāļāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļĢāļēāļĒāļāļĩāđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļāļāļ GCT Semiconductor Holding Inc āđāļāđ āđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļ§āļēāļĄāļĄāļąāđāļāļāļāđāļĨāļ°āđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāļ āļēāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļ
āļāļģāļāļēāļĄāļāļĩāđāļāļāļāđāļāļĒ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļ·āļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāļīāļāļāļķāđāļāļŦāļĢāļ·āļāļāļđāļāđāļāđāđāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļēāļāļāļļāļĢāļāļīāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ āđāļāļĒāļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļĢāļąāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļāđāļ§āļĒāļĢāļēāļĒāļāļēāļĢāļāļĩāđāđāļĄāđāđāļāđāđāļāļīāļāļŠāļāđāļĨāļ°āļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāļāļāļāđāļāļīāļāļāļļāļāļŦāļĄāļļāļāđāļ§āļĩāļĒāļ āđāļāđāļ āļāđāļēāđāļŠāļ·āđāļāļĄāļĢāļēāļāļē āļĨāļđāļāļŦāļāļĩāđ āļŠāļīāļāļāđāļēāļāļāđāļŦāļĨāļ·āļ āđāļĨāļ°āđāļāđāļēāļŦāļāļĩāđ āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĩāđāđāļāđāļāđāļāļĢāđāļāļāļēāļāļāđāļāļāļĩāđāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāļĒāļāļāļāļēāļĒāđāļĨāļ°āļāļĨāļāļģāđāļĢāđāļŦāđāđāļāđāļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĢāļīāļāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļ
GCT Semiconductor Holding Inc āļŠāļĢāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāđāļāđāđāļāđāļēāđāļ
îGCT Semiconductor Holding Inc āļŠāļĢāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļģāļāļ§āļ -30.68M āđāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļķāđāļāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļķāļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļēāļāļāļļāļĢāļāļīāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ GCT Semiconductor Holding Inc āđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢāđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļĢāļēāļĒāļāļĩ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ GCT Semiconductor Holding Inc āđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļ 0.91% āđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāļĩāļāđāļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļĨāļāļāļļāļāļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļĨāļāļāļļāļāđāļŠāļāļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāđāđāļāļŦāļĢāļ·āļāđāļāđāļĢāļąāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļĩāđāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāđāļāļāļāļąāļāļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļ āđāļāđāļ āļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļ āļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļĢāļ·āļāļāļēāļĒāđāļāļīāļāļĨāļāļāļļāļ āļāļēāļĢāđāļāđāļēāļāļ·āđāļāļāļīāļāļāļēāļĢ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļģāļŦāļāđāļēāļĒāļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđ āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļĨāļāļāļļāļāļāļĩāđāļāļīāļāļĨāļāđāļĄāđāđāļāđāđāļāđāļāļŠāļąāļāļāļēāļāļāļĩāđāđāļĄāđāļāļĩāđāļŠāļĄāļāđāļ āđāļāļĢāļēāļ°āļāļēāļāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļķāļāļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļāđāļāļ·āđāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāđāļāļāļāļēāļāļ āļāļĒāđāļēāļāđāļĢāļāđāļāļēāļĄ āļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļ§āļĢāļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļ§āđāļēāļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļāļāļąāļāļāļĨāđāļēāļ§āļāļ°āļāđāļ§āļĒāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĨāļāļāļāđāļāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ°āļĒāļēāļ§āđāļāđāļŦāļĢāļ·āļāđāļĄāđ
GCT Semiconductor Holding Inc āđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļāđāļāđāļēāđāļ
îGCT Semiconductor Holding Inc āđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļāļāļģāļāļ§āļ 2.41M āđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāđāļŠāļāļāđāļŦāđāđāļŦāđāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĢāļ°āļāļĄāļāļļāļāļŦāļĢāļ·āļāļāļ·āļāđāļāļīāļāļāļļāļāđāļŦāđāđāļāđāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāđāļĨāļ°āđāļāđāļēāļŦāļāļĩāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ āļāļķāđāļāļāļēāļāļĢāļ§āļĄāļāļķāļāļāļēāļĢāļāļāļāļāļĢāļēāļŠāļēāļĢāļŦāļāļĩāđ āļāļēāļĢāļāļģāļĢāļ°āļŦāļāļĩāđ āļāļēāļĢāļāļāļāļŦāļļāđāļ āļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļļāđāļāļāļ·āļ āļāļēāļĢāļāđāļēāļĒāđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļļāļāļāđāļēāļāļŠāļąāļāļāļēāđāļāđāļē āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļāļ§āļāļāļēāļāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļķāļāļāļēāļĢāļĢāļ°āļāļĄāļāļļāļāđāļŦāļĄāđ āļŠāđāļ§āļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļĨāļāļāļēāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāļĢāļ°āļŦāļāļĩāđ āļāļēāļĢāļāđāļēāļĒāđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ āļŦāļĢāļ·āļāļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļļāđāļāļāļ·āļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļāļ GCT Semiconductor Holding Inc āđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îGCT Semiconductor Holding Inc āđāļāđāđāļāļīāļāļŠāļāļāļģāļāļ§āļ 32.25M āđāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ āđāļĨāļ°āđāļŦāļāļļāđāļāļāļķāļāļŠāļģāļāļąāļāļāđāļ GCTS
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļ·āļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāļāļĢāļīāļĐāļąāļāđāļŦāļĨāļ·āļāļāļĒāļđāđāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļāļāļĩāđāļāļģāđāļāđāļāļāđāļāļāļēāļĢāļĢāļąāļāļĐāļēāļŦāļĢāļ·āļāļāļĒāļēāļĒāļāļļāļĢāļāļīāļāđāļĨāđāļ§ āđāļāļĒāļĄāļąāļāđāļāđāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļ§āļēāļĄāļĒāļ·āļāļŦāļĒāļļāđāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļ āļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāļāļģāļĢāļ°āļŦāļāļĩāđ āļāļ§āļēāļĄāļĒāļąāđāļāļĒāļ·āļāļāļāļāđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ āļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāđāļāļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļļāđāļāļāļ·āļ āđāļĨāļ°āļāļļāļāļ āļēāļāļāļāļāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļ āļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļ§āļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļąāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī āļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļāļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđ āđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļāļ GCT Semiconductor Holding Inc āđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -33.09M āļāļķāđāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļ -5.04% āđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāļĩāļāđāļāļ