ความก้าวหน้าด้านสถาปัตยกรรม DRAM ใหม่ของ CXMT จุดชนวนความกังวลในตลาด ขณะที่ อีลอน มัสก์ ระบุว่าการผลิตเชิงขนาดของจีนอาจพลิกโฉมภูมิทัศน์ DRAM

TradingKey - ความกังวลในตลาดกำลังเพิ่มสูงขึ้นเกี่ยวกับการที่ ชางซิน เมมโมรี เทคโนโลยีส์ (ChangXin Memory Technologies: CXMT) ผู้ผลิต DRAM ของจีน กำลังก้าวหน้าในการพัฒนาสถาปัตยกรรมหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นสูงขึ้น เนื่องจากนักลงทุนเริ่มประเมินผลกระทบที่อาจเกิดขึ้นจากผู้ผลิตจีนต่ออุปทาน ราคา และส่วนแบ่งตลาดของ DRAM แบบดั้งเดิมใหม่อีกครั้ง

อีลอน มัสก์ ผู้ก่อตั้ง เทสลา (TSLA) และ สเปซเอ็กซ์ (SPCX) ระบุบนแพลตฟอร์มโซเชียล X ว่า เมื่อจีนเชี่ยวชาญกระบวนการผลิตสินค้าชนิดใดแล้ว ความสามารถในการขยายขนาดการผลิตจะเหนือกว่าส่วนอื่น ๆ ของโลกอย่างมาก โดยระบุถึงแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนและผลิตภัณฑ์พลังงานแสงอาทิตย์เป็นตัวอย่างว่า จีนมีความได้เปรียบที่ชัดเจนในด้านขนาดการผลิต ส่วนสเปซเอ็กซ์เป็นข้อยกเว้นที่พบน้อยมาก เนื่องจากสหรัฐฯ ยังคงเหนือกว่าส่วนอื่น ๆ ของโลกอย่างมากในแง่ของมวลน้ำหนักบรรทุกที่ส่งเข้าสู่วงโคจรสำหรับการปล่อยจรวด

มัสก์ระบุเพิ่มเติมว่า ชิปหน่วยความจำอาจดำเนินไปในทิศทางที่คล้ายกัน โดยเขาชี้ให้เห็นว่า RAM ยังคงถูกมองว่าเป็นสินค้าโภคภัณฑ์ที่มีอัตรากำไรต่ำเมื่อไม่กี่ปีที่ผ่านมา และการออกแบบมาตรฐานของผลิตภัณฑ์ เช่น LP5 และ LP6 เอื้อต่อการผลิตในปริมาณมากของผู้ผลิตต่าง ๆ โดยธรรมชาติ หากผู้ผลิตจีนสามารถแก้ไขปัญหาด้านการผลิตและอัตราผลตอบแทนจากการผลิต (yield) ได้อย่างรวดเร็ว ภูมิทัศน์การแข่งขันของตลาด RAM แบบดั้งเดิมอาจเกิดการเปลี่ยนแปลงที่ยิ่งใหญ่ยิ่งขึ้น

ความเห็นดังกล่าวมีขึ้นในขณะที่ ชางซิน เมมโมรี เทคโนโลยีส์ (CXMT) กำลังเร่งการพัฒนาสถาปัตยกรรม DRAM รุ่นถัดไป โดยบริษัทระบุว่าคาดว่าจะเปิดตัวผลิตภัณฑ์ DDR5 RDIMM รุ่นถัดไปที่ใช้สถาปัตยกรรม 4F² ภายในสิ้นปี 2026 เมื่อเปรียบเทียบกับสถาปัตยกรรม 66F² ที่เป็นกระแสหลักในปัจจุบัน 4F² ช่วยลดพื้นที่เซลล์ของหน่วยเก็บข้อมูลหน่วยความจำเดี่ยว ซึ่งในทางทฤษฎีจะช่วยให้สามารถบรรจุหน่วยเก็บข้อมูลลงบนเวเฟอร์แผ่นเดียวได้มากขึ้น

[แหล่งที่มา: X]

สำหรับผู้ผลิต DRAM คุณค่าหลักของเทคโนโลยีนี้ไม่ได้อยู่ที่การเพิ่มความจุเท่านั้น แต่ยังรวมถึงการปรับปรุงโครงสร้างต้นทุนด้วย หาก CXMT สามารถรักษาอัตราผลตอบแทนจากการผลิต (yield) ที่มีความเสถียรได้ในระหว่างการผลิตในปริมาณมาก คาดว่าผลผลิตบิตที่มีประสิทธิภาพต่อเวเฟอร์จะเพิ่มขึ้น ซึ่งจะช่วยลดต้นทุนการผลิตต่อบิตลง สิ่งนี้อาจช่วยให้บริษัทมีความยืดหยุ่นมากขึ้นในการแข่งขันด้านราคา หรือปรับปรุงอัตรากำไร ณ ราคาขายเดิม

อย่างไรก็ตาม ความเห็นของมัสก์ยังสะท้อนให้เห็นว่า ตลาดกำลังแยกแยะความแตกต่างระหว่างผลิตภัณฑ์หน่วยความจำประเภทต่าง ๆ โดยเขาเชื่อว่า RAM แบบดั้งเดิมมีความเป็นมาตรฐานในระดับที่สูงกว่า ซึ่งความสามารถในการผลิตและการขยายกำลังการผลิตอาจเป็นกุญแจสำคัญในการแข่งขัน ในทางตรงกันข้าม HBM รุ่นถัดไป รวมถึงสถาปัตยกรรมที่มี SRAM อยู่ใต้วงจรลอจิก หรือการซ้อนทับแบบ 3 มิติของหน่วยความจำบนชิปลอจิก ยังคงเผชิญกับความท้าทายที่ยิ่งใหญ่กว่าในด้านการรวมระบบและการจัดการความร้อน