หุ้นซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ พุ่งขึ้น 4% ขานรับการรุกเทคโนโลยีหน่วยความจำยุคถัดไป
พอดแคสต์ AI
ราคาหุ้นซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ ปรับตัวขึ้นราว 4% เมื่อวันที่ 5 สิงหาคม โดยแตะระดับสูงสุดที่ 254,000 วอน รับอานิสงส์จากกระแสหุ้นเซมิคอนดักเตอร์ในสหรัฐฯ และอุปสงค์ AI ที่ผลักดันวัฏจักรขาขึ้นอย่างต่อเนื่อง ปัจจัยสำคัญมาจากการเปิดตัวต้นแบบเทคโนโลยีหน่วยความจำยุคถัดไปอย่าง BV-NAND ในงาน FMS ซึ่งเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลถึง 50% รวมถึงการโชว์ศักยภาพสถาปัตยกรรม zHBM และ zNAND-O ที่ใช้เทคโนโลยีเวเฟอร์บอนดิ้ง ซึ่งคาดการณ์ว่าจะยกระดับความหนาแน่นได้มากกว่า HBM5 ถึง 10 เท่า พร้อมเพิ่มประสิทธิภาพพลังงานและลดความร้อนได้อย่างมีนัยสำคัญ ส่งผลให้แนวโน้มอุตสาหกรรมหน่วยความจำมีความแข็งแกร่งยิ่งขึ้น
TradingKey - ซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ ประกาศเปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำยุคถัดไป ส่งผลให้ราคาหุ้นดีดตัวขึ้นประมาณ 4%
ในช่วงชั่วโมงการซื้อขายของตลาดเอเชียเมื่อวันที่ 5 สิงหาคม หุ้นซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ เปิดตลาดในแดนบวกและปรับตัวสูงขึ้นอย่างต่อเนื่อง โดยพุ่งขึ้นกว่า 4% ในช่วงหนึ่งจนทะลุระดับ 250,000 วอนเกาหลีใต้ (ประมาณ 175.45 ดอลลาร์สหรัฐ) และแตะระดับสูงสุดที่ 254,000 วอน ขณะนี้ราคาหุ้นของซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ ได้ย่อตัวลงเล็กน้อย โดยซื้อขายกันอยู่ที่ระดับ 248,500 วอน
กราฟราคาหุ้นซัมซุง อิเลคโทรนิคส์, แหล่งที่มา: TradingView
การดีดตัวขึ้นของราคาหุ้นซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ ในวันนี้ มีปัจจัยหนุนหลักมาจากปัจจัยเชิงบวกต่าง ๆ ซึ่งรวมถึงผลกระทบส่งผ่านจากการพุ่งขึ้นของหุ้นเซมิคอนดักเตอร์ของสหรัฐฯ, การเปิดตัวข้อมูลจำเพาะทางเทคโนโลยีหน่วยความจำใหม่ (HBF/HBM4) และความแข็งแกร่งอย่างต่อเนื่องของวัฏจักรขาขึ้นรอบใหญ่ (supercycle) ที่ขับเคลื่อนโดยอุปสงค์ AI อย่างไรก็ตาม อีกหนึ่งปัจจัยสำคัญที่ตลาดมองข้ามไปคือ การเปิดตัวผลิตภัณฑ์ใหม่และแบบจำลองแนวคิด (conceptual models) ของซัมซุง อิเลคโทรนิคส์
เมื่อวานนี้ ซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ ได้เปิดตัวต้นแบบ BV-NAND (V10 Bonding V-NAND) ในงานประชุม Future of Memory and Storage (FMS) ที่เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย ซึ่งเมื่อเปรียบเทียบกับ V9 NAND รุ่นก่อนหน้าแล้ว ต้นแบบนี้มีข้อได้เปรียบที่สำคัญอย่างมาก รวมถึงความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลที่เพิ่มขึ้นกว่า 50% ควบคู่ไปกับประสิทธิภาพการอ่าน/เขียน และอินพุต/เอาต์พุต (input/output) ที่ดียิ่งขึ้น
นอกจากนี้ ซัมซุง ยังได้จัดแสดงแบบจำลองแนวคิดสถาปัตยกรรม zHBM และ zNAND-O ครั้งแรกของอุตสาหกรรม โดยซัมซุง ระบุว่า เทคโนโลยีเวเฟอร์บอนดิ้ง (wafer bonding) นี้คาดว่าจะช่วยให้มีความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลมากกว่าหน่วยความจำ HBM5 ทั่วไปถึงกว่า 10 เท่า ในขณะเดียวกันก็เพิ่มประสิทธิภาพพลังงานขึ้นเป็นสามเท่า และลดความต้านทานความร้อนลงได้มากกว่าครึ่งหนึ่ง
เนื้อหานี้ได้รับการแปลโดยปัญญาประดิษฐ์ (AI) และผ่านตรวจสอบโดยมนุษย์ มีไว้เพื่อการอ้างอิงและข้อมูลทั่วไปเท่านั้น ไม่ใช่การแนะนำการลงทุนแต่อย่างใด
บทความแนะนำ
ความคิดเห็น (0)
คลิกปุ่ม $ ป้อนสัญลักษณ์ และเลือกเพื่อเชื่อมโยงหุ้น, กองทุน ETF หรือสัญลักษณ์หลักทรัพย์อื่น ๆ