Samsung colabora con Nvidia para desarrollar HBM4E de 8 capas, con el objetivo de un aumento de velocidad del 20% respecto a las muestras iniciales

TradingKey - El 31 de agosto, hora de Asia-Pacífico, según el diario surcoreano Seoul Economic Daily, Samsung Electronics está desarrollando HBM4E de 8 capas según los requisitos de Nvidia (NVDA), con el objetivo de alcanzar velocidades de 17 a 18 Gbps/pin, lo que representa un aumento de aproximadamente el 20% respecto a la velocidad de 14,4 Gbps de las muestras iniciales de HBM4E de Samsung. El producto se utilizará para NVHBM. Al cierre de esta edición, los representantes de Samsung no han hecho comentarios sobre el informe.

Impulsada por las noticias sobre el desarrollo de HBM4E, Samsung Electronics revirtió sus pérdidas iniciales para subir en las operaciones de la tarde. Durante la sesión matinal, afectada por factores como las señales de subida de tipos de interés de la Reserva Federal, los riesgos arancelarios sobre los chips por parte de Estados Unidos y las nuevas políticas surcoreanas que aumentan los requisitos de margen para productos apalancados, la bolsa de Corea del Sur abrió en general a la baja, con Samsung Electronics desplomándose más de un 4% en un momento dado hasta los 246.000 wones (unos 179 dólares).

Tras conocerse la noticia por la tarde, la acción repuntó hacia terreno positivo y cerró con una ligera subida del 1,17% a 260.000 wones.

[Fuente: TradingView]

Nvidia solicitó a Samsung que adoptara en esta ocasión una solución HBM de 8 capas, abandonando sus configuraciones de 12 y 16 capas planificadas anteriormente. La reducción del número de capas disminuye la dificultad de los procesos finales como el adelgazamiento de obleas y el empaquetado por apilamiento, lo que ayuda a mejorar el rendimiento y ampliar la capacidad de producción. El consenso del mercado considera que esto forma parte de la estrategia de Nvidia para hacer frente a la escasez de suministro de HBM.

El 26 de agosto, Nvidia lanzó oficialmente NVHBM, una solución HBM diseñada para clientes de chips de IA personalizados que utilizan la plataforma NVLink Fusion.

Esta solución traslada el controlador de memoria del chip principal a la matriz base del apilamiento de HBM. En comparación con la solución HBM4E estándar, el ancho de banda aumenta hasta un 30%, el consumo de energía se reduce un 15% y el área de cómputo disponible en el chip principal se incrementa hasta un 25%. Annapurna Labs, filial de Amazon (AMZN), es su primer socio.

Los productos personalizados como NVHBM requieren capacidades de diseño y fabricación tanto para chips DRAM como para matrices base lógicas. Dado que Samsung opera negocios tanto de fabricación de DRAM como de fundición, puede producir obleas DRAM para HBM y matrices base lógicas internamente, lo que la convierte en un proveedor clave ampliamente reconocido en la industria para competir en el mercado de HBM personalizados.

Sin embargo, la cooperación durante la fase de desarrollo es distinta de asegurar pedidos de producción a gran escala. La colaboración de Samsung con Nvidia para desarrollar HBM4E de 8 capas no implica que haya asegurado un contrato de suministro masivo para NVHBM. En la información pública disponible actualmente, no se han revelado los volúmenes de suministro ni los plazos específicos entre ambas partes.