三星HBM4良率超預期提升 加速高端存儲產能釋放

金吾財訊 | 據首爾經濟日報相關報道，三星電子（SSNLF）HBM4產品良率實現大幅攀升，自2月份量產啓動階段不足60%提升至約80%，該進度已經提前達成公司原本設定的2026年底良率目標，工藝改善速度超出行業前期預期。業內分析將良率提升歸功於兩方面因素，其一爲熱壓縮非導電電薄膜（TC-NCF）工藝完成優化迭代，其二是HBM4底層1cDRAM裸片良率得到改善，兩大技術條件共同推動產品生產穩定性提高。

伴隨着良率爬坡取得突破，三星也上調HBM4業務經營預期，計劃在第三季度將HBM4相關收入提升至原先三倍以上。機構預估進入2026年下半年之後，HBM4將佔到三星HBM整體銷售額的60%以上。依託良率企穩帶來的產能擴張，公司把年末HBM整體市場份額目標設置在38%左右。HBM4產出規模擴張，有望對英偉達（NVDA）下一代AI加速器Vera Rubin的生產形成供給支撐，也能夠幫助下游頭部AI廠商豐富供應鏈選擇，推進供應商多元化佈局，緩解此前行業普遍面臨的高端顯存供給緊張局面。

行業同行SK海力士（SKHY）的HBM4良率同樣來到約80%水平。依靠多代HBM產品量產積累的實踐經驗，加上自研Advanced Mass Ref Molded Underfill（MR-MUF）工藝技術儲備，SK海力士同樣計劃在下半年持續推進HBM4產能爬坡。兩大韓系存儲廠商新一代高帶寬內存同步實現良率突破，預示全球HBM4供給能力會迎來集中釋放，將進一步重塑AI存儲產業鏈的供需格局。