三星和SK海力士正在升級其中國晶圓廠以生產先進芯片

三星電子和SK海力士均計劃升級其在中國的製造工廠，以生產更先進的NAND閃存芯片，隨着與國內競爭對手長江存儲（YMTC）的競爭加劇，這一舉措勢在必行。

據路透社報道，兩家公司還希望滿足人工智能數據中心不斷增長的需求。

西安“莫納米”改造內幕

三星的目標是到2027年將位於中國西北部的西安工廠升級爲286層V9 NAND。該項目內部代號爲“Monami”，在法語中意爲“我的朋友”。

據路透社報道，援引知情人士的話稱，預計產量將逐步攀升，到2026年12月達到每月5,000片晶圓，到2027年12月達到每月40,000片。

西安工廠目前生產的NAND芯片約有200層，佔三星全球NAND產量的約40%。三星表示，此次升級符合美國出口管制規定，並將支持包括美國在內的全球客戶，且不會擴大生產能力或需要新建廠房。

SK海力士推動大連工廠突破192層

SK海力士正在升級其位於中國的大連工廠，試圖將晶圓廠產能提升至超過192層NAND，生產目標瞄準240層或更高。

該設施於2021年通過SK海力士收購英特爾的NAND業務而成爲SK海力士的一部分，該業務現以Solidigm的名義運營。Solidigm目前正準備在美國進行首次公開募股（IPO），而大連仍是其唯一的NAND製造基地。

據TrendForce統計，三星的NAND閃存產能中約有30%至35%來自中國，SK海力士則佔其總產能的40%至45%。因此，保持其中國工廠在最新技術上的競爭力對兩家芯片製造商都至關重要。

原因是長江存儲（YMTC）

根據《AI週刊》引用的數據，2026年第二季度，長江存儲在中國NAND閃存市場的地位得到加強，市場份額達到38.5%，超越三星（33.5%）位居第一。SK海力士排名第三，份額爲17%。

最新數據顯示，長江存儲取得了增長，在2025年全年佔據了約28%的市場份額。

長江存儲也在推進其芯片技術。儘管其產品陣容仍以160層和232層NAND芯片爲主，但據路透社報道，該公司已開始小批量生產294層芯片，並計劃向300層以上邁進。

三星和SK海力士在最新的NAND技術上仍領先於同行，其中三星在全球範圍內生產286層芯片，而SK海力士已實現321層NAND的大規模量產。然而，它們在中國的工廠在這些進展方面仍然落後。

美國許可證問題

美國出口管制仍是三星和SK海力士面臨的障礙，這兩家公司需要獲得年度許可才能在中國工廠安裝美國製造的設備。2025年，華盛頓方面表示不太可能批准這些設施的技術升級或產能擴張。

此後態度有所緩和，兩家公司獲得了2026年的年度許可證，取代了此前用於維持中國工廠運營的特免許可，AI Weekly報道稱。不過，路透社表示無法確認升級所需設備的批准情況。

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