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美股盘前 | 存储齐跌!SK海力士跌近5%,美光、闪迪跌逾3%;长鑫宣布在关键架构研发上取得进展

华盛通2026年10月13日 08:06
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华盛资讯10月13日讯,存储概念股盘前齐跌!SK海力士跌近5%,美光科技、闪迪跌逾3%,三倍做多半导体ETF $SOXL 跌近6%,3倍做多韩国ETF $KORU 跌逾10%。

消息面上,长鑫芯片宣布在关键架构研发上取得重要进展。

光通信概念股走低,迈威尔科技跌近3%,Lumentum、Coherent跌近2%。

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周末来自上海的消息成为此轮存储板块抛售的重要催化剂。据报道,在10月9日至10日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上,长鑫科技总裁曹堪宇宣布,公司在4F²架构研发上取得关键进展,并官宣预计年底推出融合4F²架构、混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品,直接面向服务器内存市场。

据悉,长鑫自成立起便启动4F²研究与专利布局,公开专利族超300件,数量据称领先海内外同行。公司于2021年发表4F²架构相关论文,并在2023年、2025年持续披露研发进展。2025年,长鑫还在IEDM发表论文,介绍了在12英寸晶圆平台上完成DRAM与CMOS晶圆级键合实验验证的成果。

对三星和SK海力士而言,这一时间线构成直接压力。SK海力士直至2025年才公布4F²路线图,三星据韩国媒体The Elec报道,目标是2028年实现基于该架构的10nm以下DRAM量产。若长鑫年底如期交付4F² DDR5 RDIMM产品,将在单元架构层面领先韩国两大巨头约两年。

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