先进封装 | 消息称台积电CoWoS供应持续紧张，客户聚焦英特尔EMIB-T

台积电（TSMC）的先进封装技术CoWoS供应合同已排至明年，几乎没有进一步扩大产能的空间。在供应瓶颈持续的情况下，全球大型科技公司和无晶圆厂半导体设计公司正考虑或已经开始采用英特尔改进版嵌入式多芯片互连桥技术（EMIB），即“EMIB-T”，作为替代方案。

大型科技公司关注EMIB-T，联发科、博通和Meta在列

业内人士9月2日表示，联发科在近期财报中正式表示，公司将同时采用CoWoS和EMIB-T，开发超大型人工智能专用集成电路（ASIC）。

据报道，博通和Meta也在考虑从CoWoS转向EMIB，以降低成本；谷歌和英伟达也被指对EMIB-T表现出兴趣。

在韩国企业中，SK海力士的动向尤其受到关注。SK海力士此前与台积电密切合作，以优化高带宽内存（HBM）和CoWoS。近期，该公司从英特尔获得了采用EMIB技术的基板，据称正在考虑一种将HBM和系统半导体共同封装的方法。业内认为，这可能是为了实现封装供应链多元化，降低对台积电的集中依赖。

这些动向的背后，是AI半导体需求激增带来的台积电严重供应短缺。

目前，台积电CoWoS的预订已经排至2027年，部分客户据称需要等待一年以上。即使前端晶圆生产没有出现问题，后端封装环节的瓶颈也正在推迟成品出货。

无需大型中介层，成本最高可降低约50%

CoWoS与EMIB最大的区别，在于两者连接GPU等计算芯片与HBM的方式不同。

CoWoS将计算芯片和HBM并排放置在大型硅中介层（silicon interposer）上，并通过覆盖整个硅片的布线连接不同芯片。

相比之下，EMIB完全不需要这样的大型硅中介层，而是在基板内部，仅在计算芯片和HBM实际连接的位置嵌入小型硅桥。

近期受到关注的并非最初版本的EMIB，而是升级后的EMIB-T。

EMIB自2017年开始量产，只能让相邻芯片之间进行水平方向的信号传输；EMIB-T则在硅桥内部加入硅通孔（TSV），使电力和高速信号也能够进行垂直传输。

由于只在必要位置使用成本较高的硅材料，英特尔称，EMIB-T的制造成本最高可比CoWoS低50%。

不过，也有观点认为，目前很难说EMIB在所有方面都优于CoWoS。

EMIB在计算芯片与相邻芯片之间进行局部整合方面具有优势，但对于需要高密度连接多个HBM堆栈及周围芯粒、并以单个GPU为中心进行设计的方案，一些分析人士认为，采用大型中介层的CoWoS在布线密度和可扩展性方面仍然领先。

量产良率存在分歧，台积电开发应对技术

业内对于EMIB-T成熟度的评价仍存在分歧。

部分人士认为，EMIB-T最终封装的量产良率已经提升至98%，与CoWoS相当；但也有人分析认为，其良率仍维持在约90%。

此外，作为组装前环节的硅桥基板本身，其制造良率目前仍约为50%，这意味着基板供应可能成为EMIB-T进一步普及面临的更根本瓶颈。

台积电似乎也正在采取应对措施。

此前有当地媒体报道称，台积电正与台湾基板厂商景硕合作开发类似EMIB的内部封装技术。相关报道传出后，台积电美国存托凭证（ADR）一度上涨超过7%，英特尔股价也上涨超过12%。

业内预计，随着EMIB-T明年进入大规模量产阶段，市场可能迎来一个重要转折点。

一名半导体行业人士表示：“EMIB-T明年实现量产后，需要观察实际客户转移的订单规模，才能判断市场格局是否会发生变化。”

但该人士同时表示，只要CoWoS供应紧张的局面没有缓解，英特尔可能仍将继续受益。