Tower半导体宣布在日本进行战略性产能扩张,大幅提升硅光子学和硅锗产能
7月14日,Tower半导体盘前飙升逾18%,该公司今日宣布,将并行双轨战略性地扩展其300毫米硅光子(SiPho)、硅锗(SiGe)和先进封装能力。日本在以下机构的支持下:日本政府此次扩建旨在满足快速增长的长期客户需求,大幅提升公司的生产能力,并巩固其技术领先地位。


免责声明:本网站提供的信息仅供教育和参考之用,不应视为财务或投资建议。
点赞
7月14日,Tower半导体盘前飙升逾18%,该公司今日宣布,将并行双轨战略性地扩展其300毫米硅光子(SiPho)、硅锗(SiGe)和先进封装能力。日本在以下机构的支持下:日本政府此次扩建旨在满足快速增长的长期客户需求,大幅提升公司的生产能力,并巩固其技术领先地位。

