三星和SK海力士正在升级其中国晶圆厂以生产先进芯片

三星电子和SK海力士均计划升级其在中国的制造工厂，以生产更先进的NAND闪存芯片，随着与国内竞争对手长江存储（YMTC）的竞争加剧，这一举措势在必行。

据路透社报道，两家公司还希望满足人工智能数据中心不断增长的需求。

西安“莫纳米”改造内幕

三星的目标是到2027年将位于中国西北部的西安工厂升级为286层V9 NAND。该项目内部代号为“Monami”，在法语中意为“我的朋友”。

据路透社报道，援引知情人士的话称，预计产量将逐步攀升，到2026年12月达到每月5,000片晶圆，到2027年12月达到每月40,000片。

西安工厂目前生产的NAND芯片约有200层，占三星全球NAND产量的约40%。三星表示，此次升级符合美国出口管制规定，并将支持包括美国在内的全球客户，且不会扩大生产能力或需要新建厂房。

SK海力士推动大连工厂突破192层

SK海力士正在升级其位于中国的大连工厂，试图将晶圆厂产能提升至超过192层NAND，生产目标瞄准240层或更高。

该设施于2021年通过SK海力士收购英特尔的NAND业务而成为SK海力士的一部分，该业务现以Solidigm的名义运营。Solidigm目前正准备在美国进行首次公开募股（IPO），而大连仍是其唯一的NAND制造基地。

据TrendForce统计，三星的NAND闪存产能中约有30%至35%来自中国，SK海力士则占其总产能的40%至45%。因此，保持其中国工厂在最新技术上的竞争力对两家芯片制造商都至关重要。

原因是长江存储（YMTC）

根据《AI周刊》引用的数据，2026年第二季度，长江存储在中国NAND闪存市场的地位得到加强，市场份额达到38.5%，超越三星（33.5%）位居第一。SK海力士排名第三，份额为17%。

最新数据显示，长江存储取得了增长，在2025年全年占据了约28%的市场份额。

长江存储也在推进其芯片技术。尽管其产品阵容仍以160层和232层NAND芯片为主，但据路透社报道，该公司已开始小批量生产294层芯片，并计划向300层以上迈进。

三星和SK海力士在最新的NAND技术上仍领先于同行，其中三星在全球范围内生产286层芯片，而SK海力士已实现321层NAND的大规模量产。然而，它们在中国的工厂在这些进展方面仍然落后。

美国许可证问题

美国出口管制仍是三星和SK海力士面临的障碍，这两家公司需要获得年度许可才能在中国工厂安装美国制造的设备。2025年，华盛顿方面表示不太可能批准这些设施的技术升级或产能扩张。

此后态度有所缓和，两家公司获得了2026年的年度许可证，取代了此前用于维持中国工厂运营的特免许可，AI Weekly报道称。不过，路透社表示无法确认升级所需设备的批准情况。

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